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装置概述
本装置是CVD反应装置，拥有四个气路，两套独立的气路控制单元，加热炉安装在装置的侧面上下安装，精密的仪表控制加热炉炉温和气体流量，具有可靠性高，操作简便，结构紧凑的特点。该装置可用于化学沉积及与CVD特点相似的材料制备过程、/span>
技术参?/span>
- 气路?-4（任选）：/span>
- 加热炉：1-2（任选），加热炉温度Max?000 ℂ/span>
- 气体质量流量器：0 - 500 mL/min（任选）：/span>
- 工作压力：常压；
- 温度控制?#177; 0.5 ℃；
- 计算机控制（任选）、/span>
暂无数据
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