参考价栻/p>面议
型号
铼掺杂二硒化?Re*MoSe2品牌
上海研倌/span>产地
上海样本
暂无制作方法９/p>-
密度（kg/m³）：
-形状９/p>-
纯度９/p>?9.995%
目数９/p>-
品级９/p>-
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产品技术参数：
| 产品名称 | 铼掺杂二硒化?Re*MoSe2 |
| 货号 | RDB-DJ-131 |
| 性质 | 半导佒/span> |
| 保存条件 | 室温密封保存 |
| 纯度 | ?9.995% |
| 参数 | 尺寸：＞25mm2 ?5mm2 ?0mm2 |
| 应用 | 半导体电子器件，光学器件等研穵/span> |
产品规格９/p>
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
X光微区分枏
X射线衍射:元素分析:
暂无数据
高熵合金（High entropy alloys，HEAs）是?种或4种以上元素以等摩尔比或近似等摩尔比组成的具有简单晶体结构的合金。与传统合金不同，高熵合金没有主体元素，倾向于形成简单固溶体结构＋/p>
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工商已核宝/p>
