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用于快速均匀硅蚀刺/p>
利用定向的氟自由基束中短寿命且高活跃度的F-自由培/p>
腐蚀率:200mm晶圆腐蚀率为3μm/min, 300mm晶圆腐蚀率为2.5μm/min
腐蚀率受胶带材质限制,无胶带情况下可?μm/min
TTV(总厚度变??00mm晶圆,硅的厚度从10μm减少?μm
通过同步旋转和氟的方位角位移来调节氟自由基束的均匀?/p>
可选脉冲等离子模式和直流等离子模式
采用基于CF4的化学蚀刻用于含铜等金属的硅刻蚀
具有可调真空区域的真空吸盘可处理100/150/200/300mm尺寸的晶圅/p>
真空吸盘可控制温?/p>
刻蚀超薄晶圆可以使用锯架
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