主成分含量(%):
99.9%目数9/p>200
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光伏级要求:体密度≥1.78g/cm³,开孔率?2%
半导体级要求:体密度?.85g/cm³,开孔率?%
检测方法:水银压入法(ASTM D4404标准(/p>
参数 | 光伏级标凅/th> | 半导体级标准 |
---|---|---|
热导?25? | 95-110 W/m·K | 115-135 W/m·K |
热膨胀系数(20-1000? | 4.5×10⁻⁶/ℂ/td> | 3.8×10⁻⁶/ℂ/td> |
比热?800? | 710 J/kg·K | 720 J/kg·K |
三点抗弯强度:光伏级?0MPa,半导体级≥60MPa
断裂韧性测试:采用双扭法测得KIC值应?.2MPa·m¹/²
抗热震性指标:?200?室温水淬条件下,循环次数?0次不破裂
材料型号 | 灰分(ppm) | 各向同性度 | 典型应用场景 | 价格指数 |
---|---|---|---|---|
IG-110 | ?0 | 95% | MEMS器件热处琅/td> | 100 |
EDM-3 | ?00 | 85% | 光伏硅片扩散 | 65 |
ISO-88 | ?00 | 92% | GaN外延生长 | 120 |
HLM-85 | ?00 | 88% | 锂电池材料烧绒/td> | 55 |
硅化处理:增重率控制?-8%,表面硬度提升至莫氏6?/p>
碳化硅涂层:厚度80-150μm,抗氧化温度提升?600ℂ/p>
金属复合改性:添加5-8%钛粉,导热系数提?5-20%
工艺类型 | 密度均匀?/th> | 各向同性度 | 成本对比 |
---|---|---|---|
模压成型 | ±0.05g/cm³ | 75-85% | 基准倻/td> |
等静压成垊/td> | ±0.02g/cm³ | ?5% | +150% |
振动成型 | ±0.08g/cm³ | 60-70% | -30% |
关键尺寸公差9/p>
平面度≤0.05mm/m(采用激光干涉仪检测)
孔径公差±0.01mm(气动量仪测量)
垂直度≤0.03°(三坐标测量机验证)
表面处理标准9/p>
CVD涂层厚度均匀性≤±5%
研磨表面粗糙度Ra?.8μm
清洁度要求:金属离子残留?.1μg/cm²
光伏行业:通过TUV光伏组件专用石墨器具认证
半导体行业:满足SEMI F47-0706标准
通用认证:ISO 9001质量体系+ISO 14001环境体系
设备能力核查9/p>
是否配备五轴联动加工中心(重复定位精度≤2μm(/p>
是否具有真空浸渍设备(真空度?0⁻²Pa(/p>
是否配置白光干涉仪等精密检测设夆/p>
过程控制文件9/p>
石墨原料批次追溯记录
每炉次烧结温度曲线图
机加工刀具更换日忖/p>
单晶硅扩散工艺:
推荐型号:EDM-3级石?/p>
结构要求:多腔体设计,壁厚≥8mm
涂层选择:SiC涂层+表面钝化处理
PERC电池退火:
急冷急热循环?00欠/p>
表面粗糙度Ra?.2μm
氧含量<500ppm
需满足9/p>
工艺类型 | 推荐等级 | 关键指标 | 寿命要求 |
---|---|---|---|
SiC外延生长 | IG-110 | 各向同性度?5% | 50欠/td> |
GaAs沉积 | ISO-88 | 灰分?0ppm | 80欠/td> |
MEMS退?/td> | HLM-85 | 热膨胀匹配度≤5×10⁻⁷/ℂ/td> | 120欠/td> |
尺寸复核9/p>
使用激光跟踪仪进行全尺寸扫揎/p>
与CAD模型对比误差?.05mm
渗漏测试9/p>
氦检漏率?×10⁻⁹ Pa·m³/s
保压测试?.5MPa/30min无泄漏)
高温负载测试9/p>
在额定温?50℃环境下
施加1.5倍工作载荶/p>
持续72小时无塑性变彡/p>
污染测试9/p>
Na/K含量?.01ppm
Fe/Ni含量?.05ppm
使用ICP-MS检测:
成本构成 | 光伏级占毓/th> | 半导体级占比 |
---|---|---|
采购成本 | 55% | 40% |
维护成本 | 20% | 25% |
良率损失成本 | 15% | 30% |
处置成本 | 10% | 5% |
当生产批量>10万片/月时9/p>
选择等静压石?SiC涂层方案
虽然初期成本增加40%,但良率可提?-3%
研发试验阶段9/p>
采用模压石墨基础垊/p>
配合可调节夹具降低适配成本
本文建立的选型决策体系已在国内头部光伏企业验证,数据显示采用科学选型方法可使石墨舟皿综合使用成本降低18-25%。建议采购部门建立供应商动态评级制度,结合数字孪生技术进行虚拟验证,将选型失误率控制在3%以内。随着新材料技术发展,石墨烯增强型复合舟皿已进入试验阶段,其使用寿命可达传统产品的3-5倍,值得持续关注技术进展、/p>
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