为半导体晶圆存储容器（FOUP）设计的自动化清洗设备，通过多槽化学清洗、超声波空化、喷淋漂洗、干燥等工艺，高效去除FOUP表面的油污、颗粒、氧化物及工艺残留物，适用于半导体制造、封装测试、先进研发实验室等场景，满足ISO 14644 Class 10洁净度要求、�/p>

核心优势

全自动智能化清洗

机器人上下料：集成机械臂自动抓取FOUP，实现全程无人化操作：�/p>

多槽联动设计：化学清洗→超声波清洗→喷淋漂洗→热风干燥，全流程闭环控制；

工艺参数可调：通过PLC+触摸屏编程，精准设置温度�?0°C-80°C）、时间、超声波频率等参数、�/p>

高精度洁净度保際�/p>

UF级超纯水漂洗：配�?.1μm颗粒过滤器，杜绝二次污染：�/p>

PFA/PTFE耐腐蚀槽体：兼容HF、H2O2、DI Water等化学液，适应严苛清洗环境：�/p>

颗粒去除率≥99.99%：残留物�?.03μm，满足先进制程需求（�?nm以下芯片）、�/p>

高效节能与安全合觃�/p>

化学液循环系统：减少耗材消耗，降低运行成本：�/p>

低温干燥技术：避免FOUP变形或材质损伤；

SEMI S8/S2认证：防爆设计、泄漏检测、紧急停机功能，确保操作安全、�/p>

灵活适配�?/p>

兼容多种FOUP规格：支�?2英寸�?4英寸标准盒及定制尺寸：�/p>

模块化设计：可增配UV光照消毒、真空干燥等模块，满足特殊需求、�/p>

技术参�?/strong>

参数类别	参数详情
清洗对象	半导体FOUP（前开式统一晶圆盒）、存储卡匣、载其�/td>
兼容尺寸	12英寸�?4英寸标准FOUP，可定制15英寸以上或异形盒佒�/td>
清洗工艺	化学浸泡、超声波清洗（频�?0-40kHz）、喷淋漂洗、热�?真空干燥
清洗精度	颗粒去除率≥99.99%，残留物�?.03μm
控制方式	PLC+人机界面（HMI），支持远程监控与数据追�?/td>
安全等级	SEMI S8/S2合规，防爆设计（可选），化学液泄漏应急处理系绞�/td>
电源/气源	AC 380V/50Hz，N2/CDA/DI Water（根据工艺需求配置）

应用场景

半导体制造：

光刻机配套FOUP清洗，避免光刻胶残留污染晶圆：�/p>

蚀刻后FOUP去污，防止交叉污染；

封装前FOUP清洁，提升芯片封装良率、�/p>

封装测试（OSAT）：

存储卡匣清洗，确保多批次晶圆运输的洁净度；

老化FOUP翻新，延长设备使用寿命、�/p>

科研机构与实验室９�/p>

先进制程研发中FOUP的清洁验证；

第三代半导体（SiC/GaN）材料存储容器清洗、�/p>