SGN/思峻GRS2000纳米材料高速分散机-参数-价格-中国粉体罐�/title>

原位聚合法，顾名思义，就是把反应单体填充到纳米层状物的层间，让其在层间发生聚合反库�/span>

原位聚合法原理原位聚合是一种把反应性单佒�/span>(或其可溶性预聚体)与催化剂全部加入分散�?或连续相)�?芯材物质为分散相。由于单�?或预聚体)在单一相中是可溶的,而其聚合物在整个体系中是不可溶的,所以聚合反应在分散相芯材上发生。反应开�?单体预聚,预聚体聚�?当预聚体聚合尺寸逐步增大�?沉积在芯材物质的表面

如纳米二氧化硄�/span>即在位分散聚合，该法是应用在位填充技术，将纳籲�/span>SiO2在单体中分散均匀后，再进行聚合反应，原位聚合法的特点是既能使纳米SiO2粒子均匀分在聚合物中，又保持了粒子的纳米属性，而且原位聚合法通常是一次聚合成型，无需进一步热加工，因此避免了热加工带来降解的影响，保证了纳米SiO2-聚合物基体的各种性能的稳定、�/span>

（洽谈：1-9-9-5-1-8-2-4-5-2-6（�/span>

纳米材料原位聚合泔�/span>14000转超高速分散机分散效果

影响分散乳化结果的因素有以下几点:

1 分散头的形式（批次式和连续式）（连续式比批次好）

2 分散头的剪切速率（越大，效果越好（�/span>

3 分散头的齿形结构（分为初齿，中齿，细齿，超细齿，约细齿效果越好）

4 物料在分散墙体的停留时间，乳化分散时间（可以看作同等的电机，流量越小，效果越好）

5 循环次数（越多，效果越好，到设备的期限，就不能再好）

线速度的计箖�/span>

剪切速率的定义是两表面之间液体层的相对速率、�/span>

� 剪切速率 (s-1) = v 速率 (m/s)
g �?转子间距 (m)

由上可知，剪切速率取决于以下因素：

� 转子的线速率

� 在这种请况下两表面间的距离为转子-定子间距、�/span>
SGN �?转子的间距范围为 0.2 ~ 0.4 mm

速率V= 3.14 X D（转子直径）X 转� RPM / 60

高的转速和剪切率对于获得超细微悬浮液是zui重要的。根据一些行业特殊要求，思峻公司在GR2000系列的基础上又开发出GRS2000超高速剪切乳化机机。其剪切速率可以超过100.00 rpm，转子的速度可以达到40m/s。在该速度范围内，由剪切力所造成的湍流结合专门研制的电机可以使粒径范围小到纳米级。剪切力更强，乳液的粒经分布更窄。由于能量密�?,无需其他辅助分散设备

（洽谈：1-9-9-5-1-8-2-4-5-2-6（�/span>

2、设备特炸�/span>

�?nbsp;GRS设备与传统设备相比：

高效、节胼�/span>

传统设备需8小时的分散加工过程，GRS设备1小时左右完成，超细分�?，能�?降低：�/span>

高速、高品质

传统设备的搅拌转速每分钟几十转，带分散功能的转速每分钟1500转以内，只完成宏观分散加工，超细分散能力极为有限；GRS设备的转速每分钟10000�?5000转之间，超高线速度产生的剪切力，瞬间超细分散浆料中的粉体、�/span>

⑵GRS设备与同类设备相比：

同类设备的定转子等部件结构单一，多级多层的结构是单纯重复性加工，相同的齿槽结构易发生物料未经分散便通过工作腔的短路现象：�/span>

GRS设备的定转子结构采用多层多向剪切概念，装配式结构使物料得到不同方向剪切分散，杜绝了短路现象，超细分散更为*、�/span>

（洽谈：1-9-9-5-1-8-2-4-5-2-6（�/span>

GRS2000纳米材料高逞�/span>分散朹�/span>型号表：

型号	流量 L/H	喂粉野�/span> Kg/h	功率 Kw	固体/液体/输出连接 DN
GRS2000/4	3�?00	500	2.2	25/25/15
GRS2000/5	15�?00	2�?00	7.5	25/32/32
GRS2000/10	35�?00	5�?00	18.5	40/50/50
GRS2000/20	65�?00	8�?00	37	50/65/65
GRS2000/30	100�?00	14�?00	90	80/100/100
GRS2000/50	200�?00	28�?00	160	125/150/150