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产品应用
制备硅化钒薄膜,用大束流密度的钒金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随束流密度的增加,硅化钒相生长,薄层硅化物的方块电阻RS 明显下降,当束流密度?5μA/cm2 时,Rs 达到*小?2Ψ,说明连续的硅化物已经形成。X 衍射分析表明,注入层中形成了V3Si 、V5Si3 、V3Si5 和VSi2 四种硅化钒。经过退火后,Rs 明显地下降,Rs *小可降到9Ψ,电阻率可小?2μΨm ,说明硅化钒薄层质量得到了进一步的改善,大束流密度注入和退火后,硅化钒相进一步生长。大束流密度注入和高温退?1200 ?仍然具有很低的薄层电阻率,这充分说明硅化钒具很好的热稳定性。透射电子微镜观察表明,连续硅化钒薄层厚度?0nm、/span>
包装储存
本品为充惰气塑料袋包装,密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜暴露空气中,防受潮发生氧化团聚,影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供,分装、/span>
暂无数据
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