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森泽5/20/50
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与传统的IGBT器件相比，SiC式高频振荡器的功率损耗可降低?0%，因此能够更高效地工作、/span>
此外，由于重量减轻以及冷却装置尺寸的缩小，高频振荡器本身的体积也变得更小了、/span>
【特征【/span>
与IGBT相比，耐用性更髗/span>
凭借高速切换功能（为传统水平的5倍），可支持更高频率、/span>
| 公称出力 [kw] | 频率 [kHz] | 电源容量 [kVA] | 冷却 [?分钟] | 本体尺寸 宽×深× [毫米] |
|---|---|---|---|---|
| 5 | 200 | 6.8 | 22 | 350×640×600 |
| 20 | 28 | 23 | 700×635×1650 | |
| 50 | 68 | 60 | 700×635×1850 |
全自动负载阻抗匹配，更换线圈、试样无需人工调谐，工艺切换稳定无功率跳变：br /> 3?00kHz 宽频连续可调，兼顾大体积坯料深层熔融与微细粉体表层快速升温
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