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HL9900是一种高性能的霍尔效应测试系统，能够用于测量半导体的电阻率、载流子浓度以及迁移率。它采用模块化设计，便于升级。该系统适用于硅、化合物半导体等各种材料的测试、/span>
HL9900是一款高性能霍尔效应测试系统，能够测量半导体中的电阻?p)、载流子浓度(N)以及迁移?x)。由于其模块化设计，该设备易于升级，适用于硅、化合物半导体、金属氧化物膜等各种材料的测试、/span>
它具备测量低电阻值和高电阻值的功能，同时还有双温度控制功能，再加上可选的低温保持装置，使得其测量温度范围可从90K以下扩展?00K、/span>
样品的形状有多种，但通常都与图中所示的某种形状相似。在测量样品时，需要满足的主要条件是：触点（欧姆接触点）的尺寸要足够小，并且要均匀地分布在圆周上；同时，样品的厚度也必须保持一致。建议采用三叶草形状（B）或希腊十字形状（C）作为样品的几何结构。因为这样的设计能够降低触点尺寸和分布对测量结果的影响，从而将rs和RH的误差降低、/span>
除了可用于范德帕乌形状（VDP）的霍尔效应测量外，东朋科技公司的霍尔效应系统还具备测量霍尔棒形状样品的功能。这种几何结构非常适合用于研究具有各向异性特性或电阻率较低的块状材料、/span>
HL9980具备高阻抗缓冲放大器/电流源功能，其电阻率测量精度可达?00 GΩ/平方，同时还能将电流强度降至1 pA。通过将模块靠近样品，并使用驱动防护装置，可以大限度地减少电缆电容带来的影响。该产品还配有专用的屏蔽样品架（仅适用于室温环境下的使用）、/span>
HL9950可变温度调节模块采用了水平连续流动式液氮冷却设计，因此能够实现从90K?00K?183℃到227℃）范围内的温度测量。此外，该模块还配备了排气功能，可用于去除可能影响测量结果的湿气。该可变温度调节模块可以轻松地安装在磁铁的极片之间。HL9920型体视显微镜还配备了用于放置探针的显示窗?光学窗口，通过这些窗口还可以进行光激发实验。HL9950与HL9980型阻抗缓冲放大器具有完全的兼容性；当将缓冲放大器与可变温度调节模块结合使用时，一旦样品电流低?.1 µA，系统就会自动切换到测量模式、/span>
东朋霍尔效应测量系统通过施加交流偏压，从而能够实现交流条件下的霍尔效应测量。利用这一功能，就可以对电阻极低的材料进行检测。例如，它适用于掺杂浓度较高的材料、厚度较大的块状材料等。尤其适合那些迁移率极高的材料，或是那些不适合加热处理的材料（即在低温条件下工作的材料）、/span>
通过对样品施加电场和温度，可以研究半导体的输运现象、/p>
可以研究能带的形成以及半导体的施主能级和受主能级、/span>
可以研究用于定义载流子迁移率的载流子散射机制、/span>
通过测量电阻率、面电阻、霍尔系数、多数载流子的迁移率以及面载流子和载流子密度，可以评估材料的性能、/span>
通过测量载流子迁移率，可以了解外延材料的品质、/p>
载流子密度的测量对于分析器件结构至关重要、/span>
通过霍尔效应测试，能够为外延工程师提供直接反馈，帮助他们明确“接下来应该做什么”，从而提升材料的品质与器件的性能、/span>
霍尔效应测量是一种能够准确且简便地校准MBE或MOCVD系统掺杂率的方法、/p>
通过霍尔效应检测进行杂质分析，有助于提升MBE或MOCVD系统中的外延工艺质量、/span>
霍尔效应测量作为一种辅助手段，用于补充CV、ECV、SIMS或光致发光（P/L）测试、/span>
型号 |
HL9900 |
电流范围 |
100纳安?9.9毫安 |
输出阻抗 |
1010Ω |
输入阻抗 |
1010Ω |
输入漏电?/span> |
每次输入20nA |
接点切换 |
FET |
型号 |
HL9980 |
电流范围 |
1皮安 10微安 |
输出阻抗 |
1013Ω |
输入阻抗 |
1015 |
输入漏电?/span> |
每次输入70fA |
接点切换 |
干芦苆/span> |
型号 |
HL9950 |
电流范围 |
100纳安 19.9毫安 |
输出阻抗 |
1010Ω |
输入阻抗 |
1010Ω |
输入漏电?/span> |
每次输入20nA |
接点切换 |
FET |
温度 |
90K 500K?183 227℃） |
支持范德堡、霍尔棒、桥式三种测试方法，兼顾薄片、条状、异型样品，适配行业通用测试标准，便于数据横向比对
大尺寸陶瓷无损检测主力日本日立HITACHI FS LINE（混合型）超声波成像装置在先进陶瓷、复合靶材、精密陶瓷构件的生产与研发过程中，内部微裂纹、层间剥离、微孔聚集、界面脱粘等隐性缺陷，是导致产?/p>
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