键合技术

推荐键合技术：SiC衬底降本新技术！

www.188betkr.com 讯 SiC是目前最具潜力的第三代半导体，但因其生产难度大、良率低，生产过程中会形成大量废片，导致SiC普及率相对较低。而直接键合技术可以通过键合将SiC的良片与废片键合形成复合SiC衬底，显著提升SiC衬底片的可用[更多]