化学气相沉积系统(CVD)为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这秌�/span>CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD），内炉膛表面涂有美国进口的高温氧化铝涂层可以提高设备的加热效率，同时也可以延长仪器的使用寿命、�/span>HTTF-1200-V-PECVD多路混气真空管式炈�/span>PECVD系统广泛应用于沉积高质量SiO薄膜�?/span>Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管＇�/span>CNT）等

混气真空管式炈�/span>PECVD系统是为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，环境温度在100-300℃，但反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解、离解和离化，从而大大提高了反应物的活性，这些具有反应活性的中性物质很容易被吸附到较次温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜，因此这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）、�/span>

HTTF-1200-V-PECVD多路混气真空管式炈�/span>PECVD系统，由HTTF-1200单温区管式炉、真空系统、质子流量计、射频电源系统系统组成、�/span>

真空管式炈�/span>PECVD系统可在片状或类似形状样品表面沉�?/span>SiOx�?/span>SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅�?/span>SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉�?/span>p型�?/span>n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。化学气相沉积系统广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高端装饰等领域、�/span>

4路质子混气管式炉PECVD系统
炉管尺寸	直径60mm
加热区长�?/span>	440mm(更多规格可按照客户要求定刵�/span>)
正常工作温度	1100ℂ�/span>
**工作温度	1200ℂ�/span>
加热元件	掺钼合金加热东�/span>
炉膛材质	采用日本进口炉膛材料，不掉粉、材料保温性能好、反射率高、温场均衡，抗热涨冷缩能力强
控温方式	智能匕�/span>30段可编程控制（用户可选配液晶触摸屏显示）
真空系统
高真空分子泵组，高真空复合真空计 前级泴�/span>2升每秒，分子泴�/span>600升每科�/span> 采用KF25系列波纹管和真空挡板阀连接
质子流量讠�/span>
高精度质量流量计可准确的控制气体流量 气体流量范围丹�/span>0-500ＳＣＣｍ误差丹�/span>0.02% 出气真空压力表，内置气体混气系统＋�/span> 不锈钢针阀计管道，标准双卡套接夳�/span>
射频电源系统
输出功率	50-500W**可调±1%
RF频率	13.56MHz，稳定性°�/span>0.005%
噪声	≣�/span>55DB
冷却	风冷
输入功率	1KW AC 220V
提供相关配件	气炼石英炉管、真空法兰、高温手套、坩埚钩、热电偶、防烫罩、刚玉坩埚、炉塝�/span>
电气认证	CE认证
售后服务	12个月质保、终身保�?/span>