L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包�?/span>:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数、�/span>

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（温度可达240��C）可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场、�/span>

基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V咋�/span>I-R数据国�/span>.

系统可测试多种材料包括Si� SiGe� SiC� GaAs� InGaAs� InP� GaN (N 型或P型均可测�?� 金属膜， 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演礹�/span>

特点

?载流子浓�?/span>

?电阻玆�/span>

?迁移玆�/span>

?电导玆�/span>

?��(水平电阻倻�/span>/垂直电阻倻�/span>)

?霍尔常数

?磁致电阻

输入电流:	500nA�?/span> 10mA (500nA步长)
霍尔电压:	0.5�?/span> 4.5V
分辨玆�/span>:	65pV
样品形状:	15x15� 20x20� 25x25mm�高度可达5mm
磁场强度:	可达1T
传感�?/span>:	液氮温度�?/span> 240��C