基础 HoF CVD
报价9span>面议
品牌9/td> 江西汉可
产地9/td> 江西
关注度: 767
型号9/td> 基础研发 HoF CVD
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产品介绍

该款产品,基于热丝CVD法(Hot Filament Chemical Vapor Deposition,简称HoF CVD)镀膜,适用于高校、科研机构使用,或企业研发部门进行原理性验证和技术开发。热丝CVD法与PECVD法在功能上具有相通性,例如硅基薄膜镀膜、氮化硅镀膜、氟系有机材料镀膜等,可以相互替代。但因为镀膜的原理不同,又具有不同的特点。简要总结如下表所示:


PECVD HoFCVD
镀膜质野/td> 高,有等离子体损伣/td> 更高,无等离子体损伤
镀膜速度 较慢(非晶硅慢,微晶硅更加慢(/td> 较快(相比于 PECVD,非晶硅快,微晶硅更快)
设备造价 高(射频电源、碳基载板,匀气结构复杂) 低(直流电源、金属载板、匀气结构简单)
运营成本 一?/td> 较低
颗粒污染 镀膜气压几?几百 Pa,易形成粉尘;需每天 NF3 等离子清洖/td> 镀膜气压几 Pa,不易形成粉尘;可忽略该问题、/td>
载板要求 一般碳基(石墨为主),载板是PE 放电的电极之一,参与放电,所以对其导电性等要求很高、/td> 一般金属载板。载板不参与气体分子的裂解反应,导电性无要求、/td>
绕镀问题

原理性问题,需要载板、硅片的平整度和贴合程度要求很高才能避免、/p>

可忽略。对载板、硅片的平整度、贴合程度要求低、/td>
生产装备结构 卧式:载板、硅片水平放置,自动化易于实现;粉尘颗粒易于粘附与硅片表靡/td> 立式:载板、硅片垂直放置,自动化难度高;粉尘不易与粘在硅片表面、/td>
镀膜均匀?/td> 小面积高;但面积增大难度极高(因为等离子体的控制难度高,有驻波效应)、/td> 小面积低;但面积增大容易(因为热丝周期性排布)
设备普及程度 高。装备、工艺技术人员充足丰富、/td> 低。装备、工艺人员少、/td>


问商宵/div>
  • 基础 HoF CVD的工作原理介绍?
  • 基础 HoF CVD的使用方法?
  • 基础 HoF CVD多少钱一台?
  • 基础 HoF CVD使用的注意事顸/li>
  • 基础 HoF CVD的说明书有吗>/li>
  • 基础 HoF CVD的操作规程有吗?
  • 基础 HoF CVD的报价含票含运费吗?
  • 基础 HoF CVD有现货吗>/li>
  • 基础 HoF CVD包安装吗>/li>
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江西汉可泛半导体技术有限公司为您提供江西汉可基础 HoF CVD,基础 HoF CVD产地为江西,属于半导体行业专用仪器,除了基础 HoF CVD的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供热丝CVD
工商信息
企业名称

江西汉可泛半导体技术有限公号/p>

企业类型

信用代码

91360405MA39UDC9XG

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