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6英寸SiC衬底牆�/div>

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品牌９�/td>	博雅新材
产地９�/td>	四川
关注度：	217
型号９�/td>	6英寸SiC衬底牆�/td>

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产品介绍

眉山天乐半导�?英寸SiC衬底片产品标凅�br style="box-sizing: border-box;"/>6-inch SiC Substrate Specification
序号 Item	等级 Grade	精选级（Z级） Zero MPD Grade	工业级（P级） Production Grade	测试级（D级） Dummy Grade
1.晶体参数 Boule Parameters
1.1	晶型 Polytype	4H-N
1.2	表面晶向偏离� Surface orientation error	Off axis�?.0°toward<11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5°
2.电学参数 Electrical Parameters
2.1	掺杂� Dopant	Nitrogen
2.2	电阻� Resistivity	0.015-0.028Ω·cm
3.机械参数 Mechanical Parameters
3.1	直径 Diameter	149.5mm-150.0mm
3.2	厚度 Thickness	350μm±15μm	350μm±25μm
		500μm±15μm	500μm±25μm
3.3	主定位边方向 Primary Flat Orientation	{10-10}±5°
3.4	主定位边长度 Primary Flat Length	47.5mm±2.0mm
3.5	局部平整度 LTV	�?.5μm	�?.5μm	�?μm
3.6	总厚度变� TTV	�?μm	�?μm	�?5μm
3.7	弯曲�?*� BOW	�?5μm	�?5μm	�?0μm
3.8	翘区� Warp	�?5μm	�?5μm	�?0μm
3.9	正面(硅面)粗糙�?AFM)Front (Si-face) Roughness	Ra�?.1nm
4.结构 Structure
4.1	微管密度 Micropipe density	�?.1cm-2	�?.2cm-2	�?5cm-2
4.3	螺位� TSD	�?00cm-2	�?00cm-2	�?000cm-2
4.4	基平面位� BPD	�?00cm-2	�?00cm-2	/
4.5	刃位� TED	�?000cm-2	�?000cm-2	/
5.正面质量 Front Quality
5.1	表面处理 Surface finish	CMP
5.2	颗粒 Particle
5.3	划痕 Scratches	None
5.4	缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination	None
5.5	多晶� Polytype areas	None	None	Cumulative area �?%
5.6	正面激光标� Front marking	/
6.背面质量 Back Quality
6.1	背面处理 Back finish	CMP
6.2	背面划痕 Scaratches	None	None	Cumulative length �?x wafer diameter
6.3	背面缺口/崩边 Back defects edge chip/indents	None
6.4	背面粗糙� Back roughness	Ra�?.2 mm	Ra�?.2 mm	Ra�?.5 mm
6.5	背面激光标� Back marking	距离边缘1mm ( from top edge)
7.边缘轮廓 Edge
7.1	边缘轮廓 Edge exclusion	3 mm
8.包装 Packaging
8.1	激光标� Laser Marking(carbon side)	Carbon face
8.2	包装 Packaging	单片�?5片包裄�/td>
Notes: None means no request.

眉山天乐半导�?英寸SiC衬底片产品标凅�br style="box-sizing: border-box;"/>6-inch SiC Substrate Specification
序号 Item	等级 Grade	精选级（Z级） Zero MPD Grade	工业级（P级） Production Grade	测试级（D级） Dummy Grade
1.晶体参数 Boule Parameters
1.1	晶型 Polytype	4H-N
1.2	表面晶向偏离� Surface orientation error	Off axis�?.0°toward<11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5°
2.电学参数 Electrical Parameters
2.1	掺杂� Dopant	Nitrogen
2.2	电阻� Resistivity	0.015-0.028Ω·cm
3.机械参数 Mechanical Parameters
3.1	直径 Diameter	149.5mm-150.0mm
3.2	厚度 Thickness	350μm±15μm	350μm±25μm
		500μm±15μm	500μm±25μm
3.3	主定位边方向 Primary Flat Orientation	{10-10}±5°
3.4	主定位边长度 Primary Flat Length	47.5mm±2.0mm
3.5	局部平整度 LTV	�?.5μm	�?.5μm	�?μm
3.6	总厚度变� TTV	�?μm	�?μm	�?5μm
3.7	弯曲�?*� BOW	�?5μm	�?5μm	�?0μm
3.8	翘区� Warp	�?5μm	�?5μm	�?0μm
3.9	正面(硅面)粗糙�?AFM)Front (Si-face) Roughness	Ra�?.1nm
4.结构 Structure
4.1	微管密度 Micropipe density	�?.1cm-2	�?.2cm-2	�?5cm-2
4.3	螺位� TSD	�?00cm-2	�?00cm-2	�?000cm-2
4.4	基平面位� BPD	�?00cm-2	�?00cm-2	/
4.5	刃位� TED	�?000cm-2	�?000cm-2	/
5.正面质量 Front Quality
5.1	表面处理 Surface finish	CMP
5.2	颗粒 Particle
5.3	划痕 Scratches	None
5.4	缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination	None
5.5	多晶� Polytype areas	None	None	Cumulative area �?%
5.6	正面激光标� Front marking	/
6.背面质量 Back Quality
6.1	背面处理 Back finish	CMP
6.2	背面划痕 Scaratches	None	None	Cumulative length �?x wafer diameter
6.3	背面缺口/崩边 Back defects edge chip/indents	None
6.4	背面粗糙� Back roughness	Ra�?.2 mm	Ra�?.2 mm	Ra�?.5 mm
6.5	背面激光标� Back marking	距离边缘1mm ( from top edge)
7.边缘轮廓 Edge
7.1	边缘轮廓 Edge exclusion	3 mm
8.包装 Packaging
8.1	激光标� Laser Marking(carbon side)	Carbon face
8.2	包装 Packaging	单片�?5片包裄�/td>
Notes: None means no request.

眉山天乐半导�?英寸SiC衬底片产品标凅�br style="box-sizing: border-box;"/>6-inch SiC Substrate Specification
序号 Item	等级 Grade	精选级（Z级） Zero MPD Grade	工业级（P级） Production Grade	测试级（D级） Dummy Grade
1.晶体参数 Boule Parameters
1.1	晶型 Polytype	4H-N
1.2	表面晶向偏离� Surface orientation error	Off axis�?.0°toward <11-20>±0.5°，On axis:<0001>±0.5°
2.电学参数 Electrical Parameters
2.1	掺杂� Dopant	Nitrogen
2.2	电阻� Resistivity	0.015-0.028Ω·cm
3.机械参数 Mechanical Parameters
3.1	直径 Diameter	149.5mm-150.0mm
3.2	厚度 Thickness	350μm±15μm	350μm±25μm
		500μm±15μm	500μm±25μm
3.3	主定位边方向 Primary Flat Orientation	{10-10}±5°
3.4	主定位边长度 Primary Flat Length	47.5mm±2.0mm
3.5	局部平整度 LTV	�?.5μm	�?.5μm	�?μm
3.6	总厚度变� TTV	�?μm	�?μm	�?5μm
3.7	弯曲�?*� BOW	�?5μm	�?5μm	�?0μm
3.8	翘区� Warp	�?5μm	�?5μm	�?0μm
3.9	正面(硅面)粗糙�?AFM)Front (Si-face) Roughness	Ra�?.1nm
4.结构 Structure
4.1	微管密度 Micropipe density	�?.1cm-2	�?.2cm-2	�?5cm-2
4.3	螺位� TSD	�?00cm-2	�?00cm-2	�?000cm-2
4.4	基平面位� BPD	�?00cm-2	�?00cm-2	/
4.5	刃位� TED	�?000cm-2	�?000cm-2	/
5.正面质量 Front Quality
5.1	表面处理 Surface finish	CMP
5.2	颗粒 Particle
5.3	划痕 Scratches	None
5.4	缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination	None
5.5	多晶� Polytype areas	None	None	Cumulative area �?%
5.6	正面激光标� Front marking	/
6.背面质量 Back Quality
6.1	背面处理 Back finish	CMP
6.2	背面划痕 Scaratches	None	None	Cumulative length �?x wafer diameter
6.3	背面缺口/崩边 Back defects edge chip/indents	None
6.4	背面粗糙� Back roughness	Ra�?.2 mm	Ra�?.2 mm	Ra�?.5 mm
6.5	背面激光标� Back marking	距离边缘1mm ( from top edge)
7.边缘轮廓 Edge
7.1	边缘轮廓 Edge exclusion	3 mm
8.包装 Packaging
8.1	激光标� Laser Marking(carbon side)	Carbon face
8.2	包装 Packaging	单片�?5片包裄�/td>
Notes: None means no request.

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