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碳化硅SiC激光隐切设夆/div>
报价９span>面议
品牌９/td> 晶瓴半导佒/td>
产地９/td> 江苏
关注度： 680
型号９/td> 碳化硅SiC激光隐切设夆/td>
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产品介绍

SiC晶体的切片方法有：砂浆线切割、金刚线切割，以及激光隐切。其中，激光隐切技术将高能量脉冲激光束聚焦在SiC晶体内部，在设定深度处形成微小裂纹，然后通过面内扫描形成一个裂纹层?后沿着该裂纹层剥离出晶片。与传统线切割方法相比，激光隐切具有剥离速度快，切割损耗低，可切割超薄晶片，以及切割成本低等优点。随着SiC晶锭尺寸变大，尤其是8寸和12寸，激光隐切技术在SiC晶片加工中的优势更为明显、/p>

空间光调制算泔/h3>

任意加工深度的球差矫正；

可多束分光；

兼容SiC/GaN/Ga2O3/金刚石等多种材料

超快激光与光路

稳定可靠的光路结构；

7×24小时连续工作：/p>

有效的温漂抑制与补偿

复合运动平台

可重复定位精 < 1μm：/p>

实时高度补偿：/p>

融合激光控制与光谱成像

参数?/span>

分类 项目 参数
外观 主机尺寸 1500(L) X 1300(W) X 1800(H)
整机重量 ~1.2T



基本参数与控制方泔/td> 可加工尺寷/td> 12 / 8 / 6寷/td>
激光功玆/td> 0.5~50W
脉冲激光器寿命 20000小时（正常工作时间）
X/Y/Z轴行稊/td> 350mm/400mm/45mm
Y轴速度、加速度 500mm/s / 4000mm/s²
单片扫描时间 21min (6??3min(8??7min(12?
测高精度 0.7μm
聚焦深度控制 表面预扫描，加工时动态调整聚焦深?/td>
球差矫正深度 300μm / 350μm / 400μm / 450μm / 500μm / 550μm
“小面”加?/td> “小面 光谱成像，自动分区差异化加工
晶体损耖/td> 晶锭?晶片侧，总损耗厚?lt;100μm
厂务要求 总电溏/td> 220V?kW?0Hz
冷却氳/td> 压力：~0.1MPa；流量：~7L/min；温度：18~25ℂ/td>
压缩空气 压力?gt;0.45MPa；流量：<0.1L/min



选型

型号 可加工尺寷/th> 价格（含税） 货期
L08 8?6?4寷/td> 196丆/td> 1?/td>
L12 12?8寷/td> 199丆/td> 4?/td>


问商宵/div>
  • 碳化硅SiC激光隐切设备的工作原理介绍＞/li>
  • 碳化硅SiC激光隐切设备的使用方法＞/li>
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      苏州晶瓴半导体有限公司为您提供晶瓴半导体碳化硅SiC激光隐切设备，碳化硅SiC激光隐切设备产地为江苏，属于切割机，除了碳化硅SiC激光隐切设备的参数、价格、型号、原理等信息外，还可为您提供
      工商信息
      企业名称

      苏州晶瓴半导体有限公号/p>

      企业类型

      信用代码

      91320594MACPALMDX4

      法人代表

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