具备RF-ICP/CCP辅助磁控溅射后氧化模式，具有高沉积速率且光学性能匹配的特点。适用于车载盖板玻璃和3C产品前盖玻璃沉积AR膜，其中AR膜可为普通SiO2+Nb2O5膜系，也可为硬质SiO2+Si3N4膜系。同时也适用�?C产品后盖颜色膜（含渐变色膜）、NCVM膜的加工、�/p>

旋转阴极装置与行内普通平面靶装置相比靶材使用周期与利用效率显著提高；可客制化的基板工件架结构定制，给客户产品摆放达到**的利用空间；全自动一体的提拉升降的转架装置，大幅度减少机器开关门时间，大大提高了生产效率与工艺稳定性；汇成**离子源具有工作范围广能量均衡，高离化率，超稳定工作效率，低耗能等特点、�/p>

可利用时间精准控制薄膜厚度，达到设计工艺要求，节省晶控，光控环节，为客户省去大量的膜厚仪耗材；可生产高折射率氮化薄膜，提高薄膜硬度性能；低温成膜，可应对各种用途；自动调节气体流量**装置，保持稳定的靶电压，保证成膜品质；可选“校正板外部调节机构”、�/p>

优势９�/p>

•出色的均匀�?br style="box-sizing: border-box;"/>•可实现不同的材料或提高产量
•集成式等离子体源，可提高涂层质量并进行基板预清�?br style="box-sizing: border-box;"/>•快速更换不同尺寸基板的工具
•高目标利用率，不影响涂层规栻�br style="box-sizing: border-box;"/>•简单的目标交换和易于访问的系统维护