产品介绍:

碳化硅作为第三代半导体具有一系列优良的物理化学特性，碳化硅器件相对于硅器件的优势如下:

耐高温：碳化硅的禁带宽度和热导率均为硅的 3 倍左右（Si 1.12eV SiC 3.23eV），理论上碳化硅器件能在� 600℃的环境下工作，硅器件的极限工作环境局限在175ℂ�/p>