9�?0日，德山株式会社宣布将开设氮化铝填料研究设施、�/p>2022�?9�?1�?nbsp;更新

如果将GaN中的一部分Ga替换为较轻的Al并制成AlGaN（氮化铝镓），则将获得具有优异的介电击穿电阻的晶体，具有更高介电击穿电阻的AlGaN作为下一代功率电子材料被寄予厚望、�/p>2022�?8�?0�?nbsp;更新

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尽管我国是全球矿产资源生产第一大国，但战略矿产资源对外依存度居高不下。其中硼对外依存度近80%、�/p>2022�?8�?1�?nbsp;更新