氮化硅粉体是制备氮化硅陶瓷的关键原料，其性能是影响氮化硅坯体成型、烧结的关键因素，对最终氮化硅陶瓷产品的致密度、力学性能等都具有重要影响、�/p>2019�?1�?1�?nbsp;更新

氮化硅是在人工条件下合成的化合物，是一种重要的结构陶瓷材料。氮化硅陶瓷是一种烧结时不收缩的无机材料、�/p>2019�?1�?9�?nbsp;更新

第一代半导体硅经过几十年的发展，产业发展和基础研究齐头并进，基础扎实。相比之下，日本人开始研究第三代半导体时，很多人认为氮化镓材料的缺陷太多，难以做成高效光电器件。没想到日本竟然把蓝光LED做出来了，紧跟着就是市场的快速爆发。“市场发展非常快，基础研究却跟不上了。”夏建白说，这是目前第三代半导体发展面临的困境、�/p>2018�?1�?2�?nbsp;更新

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值、�/p>2018�?9�?4�?nbsp;更新

一张图了解氮化铝陶瓶�/p>2018�?6�?7�?nbsp;更新

在氮化硅陶瓷的制备中，氮化硅陶瓷粉体的制备、烧结以及陶瓷体的增韧增强是氮化硅陶瓷制备过程中关键的技术要点、�/p>2018�?5�?4�?nbsp;更新

北京大学物理学院研究员吕劲团队与杨金波、方哲宇团队最新研究表明，新型二维材料或将续写摩尔定律对晶体管的预言、�/p>2018�?5�?3�?nbsp;更新