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您所在的位置9/div> 中粉资讯 > 导热粉体材料价格行情
2?7日国内部分地区氮化硅报价

2?7日国内部分地区氮化硅报价:图片来源于网络,侵删上海上海乃欧纳米科技有限公司 氮化 起批量≥5 价格 300.00 含量≥:99.9?)  粒度?0nm(目)  牌号:乃欧纳米  形状:颗粒状  制作方法:激光  产地:上海  是否危险化学品:否  是否进口:否上海杳田新材料科技有限公司 氮化 起批量≥1 价格 410.00   含量≥:99.9?)  粒度:粒度可控(目)  牌号:氮化硅  包装规格:真空包装  形状:其他  制作方法:其他  货号:氮化硅  是否危险化学品:否  是否进口:否  品牌:杳田纳籲/p>2022?2?7?nbsp;更新

先进陶瓷新闻盘点:碳化硅、氮化铝、氮化硅“太热了”!

陶瓷领域近期又有哪些新动态?

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清华大学国家863科技成果成功转化,年产氮化铝和氮化硅陶瓷基板1020万片

高性能氮化铝陶瓷材料项目源于清华大学国?63科技成果,建成后年产氮化铝基?20万片,氮化硅基板300万片、/p>2022?2?8?nbsp;更新

氮化铝陶瓷金属化新工艺,工艺简单,效率高!

要使氮化铝陶瓷作为电子器件来使用,往往需要跟其他材料(金属、合金等)进行有效连接,为了方便连接,很多情况下需要先将其金属化处理、/p>2022?2?8?nbsp;更新

台基股份跟踪和研发以SiC、GaN等第三代半导体,尚未形成产品

近日,台基股份在投资者互动平台表示,公司根据研发项目计划安排和实际需求进行投入,公司跟踪和研发以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术,尚未形成产品、/p>2022?1?8?nbsp;更新

AlN单晶衬底-2英寸不是终点

氮化铝(AlN)是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,以及高导热、抗辐射等优异性能。是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料,也是高功率、高频电子器件理想衬底材料、/p>2022?1?7?nbsp;更新

?65条,?7页,每页10条,当前显示?6顴/div>
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