简� � 1.温度范围�?00-1850℃� 2.进口发热体，工作温度精确度达±0.5℃� 3.坩埚具有旋转功能，可根据需要设置旋转速度和方向� 4.设备可用�?-4英寸单晶生长需求，可根据客户需求定制化所需其它功能� 5.氮化镓高压助熔剂晶体生长设备�?nbsp;简� � 1.温度范围�?00-1850℃� 2.进口发热体，工作温度精确度达±0.5℃� 3.坩埚具有旋转功能，可根据需要设置旋转速度和方向� 4.设备可用�?-4英寸单晶生长需求，可根据客户需求定制化所需其它功能� 5.氮化镓高压助熔剂晶体生长设备�?nbsp;简� � 1.温度范围�?00-1850℃� 2.进口发热体，工作温度精确度达±0.5℃� 3.坩埚具有旋转功能，可根据需要设置旋转速度和方向� 4.设备可用�?-4英寸单晶生长需求，可根据客户需求定制化所需其它功能� 5.氮化镓高压助熔剂晶体生长设备�?nbsp;