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半导体制造用高纯超细立方SiC微粉

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西安博尔新材料有限责任公号/p>

西安

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面议

品牌9/div>

博尔

型号9/div>

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关注度:

5223

范围(量程或细度):

0~0.1μm

创新点:

导电、导热、耐磨、耐高温、耐腐蚀?/p>

产品介绍

  由高纯度(99.99%~99.9999%)、精?0~0.1μm)微粉和粒度为50~800μm的单晶?SiC做母源,经气相沉积法可制造各种单晶碳化硅,其优异的导电、导热、耐磨、耐高温、耐腐蚀性使其在**、航天、航空、电子行业等高尖端领域用来替代电子级单晶硅和多晶硅,成为当前高科技领域公认的第三代半导体材料和LED等应用的电子封装、基板材料、/p>

西安博尔



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