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碳化硅pvt培育的长晵/p>
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东尼电子
碳化硅pvt培育的长晵/p>
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PVT法长晵/p>
籽晶粘结成功率可以接?00%,平均生长速度0.13-0.16mm/h,晶体利用率更高,更加适合6?寸晶体的生长,单位晶体成本更低。同时具有高可靠性,热场和工艺调节更便捷,更加适合规模化生产,这些优势在生长大尺寸晶体时尤其明显、/p>

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