主要技术指栆�

外形尺寸:2818*1990

冷却方式:制冷机直接冷即�/p>

中子東窗厚度:�?mm

磁场倻�对称模式可达磁场27.0T:非对称模�?5.0T

磁场均匀�?样品中心磁场均匀�?lt;1%($10mmx20mm高的圆柱�?，样品中心磁场均匀�?lt;2%($25mmx30mm高的圆柱�?

中子入射截面尺寸:42mmx42mm

散射裔垂直角�?2+5°

散射窗水平角�?�?70°

可变温插件VTI内径:�?0mm

变温范围:1.5K-300K

主要用逓�用于散裂中子源谱仪原位中子散射实�?在一定时间内对样品进行降温冷却，为样品提供zui低温度≤1.5K，zui高温�?300K的温度范围对称模式可达中心磁�?7T的实验环境，非对称模式可达中心磁�?5T的实验环境，目具备远程些控功能和接口，同时能够自动控制和调节磁场大小和变温插�?VTI)温度、�/p>