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粉体应用

应用
硅灰石的加工及其在涂料中的应?/a>
阐述了硅灰石的结构及特点。介绍了硅灰石的加工方法,及其在内外墙乳胶漆中的应用?..

2017

2011-06-29

应用
重晶石防辐射混凝土施工技?/a>
该文以具体工程为?介绍了重晶石防辐射混凝土在材料、配合比、生产运输、浇筑和养护等几方面的技术问题?..

2341

2011-06-29

应用
粒化脱硫石膏在水泥生产中的应用试骋/a>
通过对粒化脱硫石膏的试验,确定其在水泥生产中应用的可行性。试验表明用粒化脱硫石膏生产的水泥各项性能指标均符合国家标准要?而且只要搭配合理,效果优于天然石膏?..

1443

2011-06-29

应用
白云石煅烧制备水泥基胶凝材料的实验研穵/a>
通过控制白云石的煅烧制度得到了含有碳酸钙和活性氧化镁的煅烧产?研究了白云石煅烧后加入硅酸盐水泥对水泥基胶凝材料的物理、力学以及微观性能的影响。实验结果表?白云石煅烧后掺入硅酸盐水泥增大了胶凝材料的标准稠度用水量,延缓了胶凝体系的凝结时间,并且随着掺量的增?胶凝体系的标准稠度用水量和凝结时间增加的幅度也越大。同时发?煅烧产物的加入虽然会降低胶凝材料的早期强?但在水化后期表现出较好的强度优势?..

1613

2011-06-23

应用
阳离子苯乙烯-丙烯酸酯对沉淀碳酸钙表面改性的研究
采用阳离子苯乙烯-丙烯酸酯乳液对沉淀碳酸钙进行改?使用DSC、FT-IR、Zeta电位、激光粒度仪、沉降体积、接触角等对改性沉淀碳酸钙的表面结构及其性能进行表征,并与未改性沉淀碳酸钙进行对比分析。DSC和FT-IR分析表明,阳离子苯乙烯-丙烯酸酯乳液包覆在沉淀碳酸钙表?影响其表面性质。研究结果说?改性后沉淀碳酸钙的粒径变小、沉降体积增大、Zeta电位提高。以改性沉淀碳酸钙作为造纸填料,与添加未改性沉淀碳酸钙的相比,纸张的物理性能和憎水性能得到改善,纸张灰分含量提高?..

1762

2011-06-23

应用
碳酸钙对氯化聚乙烯发泡性能及发泡体微观形貌的影哌/a>
以氯化聚乙烯(CM)为基体、偶氮二甲酰胺为发泡剂、碳酸钙为填?采用模压法制备了发泡CM,研究了CM的最佳硫化和发泡温度,考察了碳酸钙种类及用量对CM发泡性能及发泡CM微观形貌的影响。结果表?制备发泡CM的最佳硫化发泡温度为170℃。不同种类碳酸钙对CM发泡性能及发泡CM微观形貌的影响不?填充量较?20??纳米碳酸钙的发泡效果最?其次是轻质碳酸钙;填充量高?0份时,重质碳酸钙的发泡效果优于轻质碳酸钙和纳米碳酸钙?..

1677

2011-06-23

应用
“碱-矿渣-粉煤?偏高岭土”水合陶瓷产物组成和微观结构
采用X射线衍射和扫描电子显微镜研究了碱-矿渣-粉煤?偏高岭土水合陶瓷核废料固化基材的产物组成和微观结?分析探讨了该水合陶瓷体系的水化作用及产物形成机理。结果表昍?矿渣-粉煤?偏高岭土水合陶瓷体系水化产物的组成取决于合成温度、水热反应时间、n(Si):n(Al):n(Na)以及碱激发剂的用量。在90?80℃范围内,升高温度、延长反应时间都有利于沸石晶相的形成;180℃时,Si与Al的摩尔比越高、水玻璃模数越低?越容易形成稳定的方沸石晶?Si与Al的摩尔比?.0时形成了微观结构致密、结晶程度高的方沸石相水合陶瓷?..

2116

2011-06-23

应用
纳米高岭土在药用卤化丁基橡胶瓶塞中的应用
主要介绍了纳米高岭土的工艺性能特点及其在药用溴化丁基橡?BIIR)瓶塞中的应用。实验结果表?纳米高岭土完全可以用于药用丁基橡胶瓶?并且能改善或解决药用丁基橡胶瓶塞的耐穿刺性能、气密性能以及与药品制剂的澄明度和相容性等物理和化学性能?..

2008

2011-06-23

应用
不同掺量配比对复合硅酸盐水泥性能的影哌/a>
研究了粉煤灰、粒化高炉矿渣及石灰石的不同掺量对复合硅酸盐水泥的凝结时间及抗压强度的影响。结果表昍石灰石粉对水泥的负面影响较大,粉煤灰掺量增加有缓凝及削弱水泥早期强度的作用,而增加高炉矿渣掺量具有缓凝和提高水泥后期强度的效果?..

1442

2011-06-20

应用
ZnO-B_2O_3对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构和介电性能的影哌/a>
采用传统固相反应?将ZnO-B2O3(ZB)? 100℃预烧的CaCu3Ti4O12(CCTO)粉末混合烧结成陶瓷。探讨ZB对CCTO陶瓷显微结构和介电性能的影?并进一步分析CCTO陶瓷的巨介电机理。结果表昍当添加少量ZB(w?%,质量分数)?形成体心立方BCC类钙钛矿结构的CCTO单相;当w>2%?生成Zn2TiO4杂相;当ZB的添加量?.5%?0%?CCTO陶瓷的介电常数明显增?介电损耗也较高;而当ZB的添加量?.0%~5.0%?介电常数的变化很?同时具有较低的损耗和良好的温度稳定性。其?w=2%时CCTO基陶瓷具有优异的介电性能(100 kHz),即相对介电常数εr=336,介电损耗tanδ=0.018,介电常数温度系数τε=-1.5×10-5?1。ZB掺杂CCTO基陶瓷的阻抗谱表昍CCTO陶瓷由半导体化晶界和相对绝缘的晶粒构?因此,其具有巨介电常数?..

1502

2011-06-17

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