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éšç€5G时代的å‘å±?电å器件领域的çƒç®¡ç†é—®é¢˜æ—¥å‘严峻。氮化硼(BN)是一类高çƒå¯¼çŽ?TC)ã€é«˜ç»ç¼˜çš„导çƒå¡«æ–?广泛应用于çƒç®¡ç†é¢†åŸŸ,åŒ…æ‹¬å…æ–¹æ°®åŒ–ç¡?h-BN)ã€æ°®åŒ–硼纳米ç‰?BNNS)和氮化硼纳米ç®?BNNT)。然è€?BN表é¢å‘ˆåŒ–妿ƒ°æ€?其与基体或其他填料间亲和力低ã€å£°å谱失é…ç?导致了填料与基体/填料间å˜åœ¨æ˜Žæ˜¾çš„界é¢çƒé˜»,é™åˆ¶äº†å¤åˆææ–™TCçš„æå?éš¾ä»¥æ»¡è¶³ä½¿ç”¨è¦æ±‚ã€‚å› æ?如何调控界é¢çƒé˜»ã€è®¾è®¡BN/èšåˆç‰©å¯¼çƒå¤åˆææ–™çš„çƒä¼ 导界é?å¹¶æé«˜å¤åˆææ–™çš„导çƒèƒ½åŠ›æ˜¯å½“å‰äºŸå¾…è§£å†³çš„éš¾é¢˜ã€‚ç ”ç©¶è€…åˆ†åˆ«ä»Žç†è®ºæ¨¡æ‹Ÿä¸Žå®žéªŒéªŒè¯ä¸¤ä¸ªè§’åº¦å¯¹çƒæµåœ¨ç•Œé¢ä¼ 导的差异åŠå…¶åŽŸå› è¿›è¡ŒæŽ¢ç´¢ã€‚åœ¨ç†è®ºç ”ç©¶ä¸?将分å动力å¦(MD)æ¨¡æ‹ŸåŠæœ‰é™å…ƒæ¨¡æ‹Ÿ(FEA)ç‰æ–¹æ³•ç»“åˆæœ‰æ•ˆä»‹è´¨æ¨¡åž‹åŠå…¶ä¼˜åŒ–模型ã€Foygel模型ç‰èƒ½å¤Ÿå¯¹ç•Œé¢çƒé˜»(ITR)进行深入的ç†è®ºæ¨¡æ‹Ÿä¸Žåˆ†æž;å…¶ä¸,å½±å“界é¢çƒé˜»çš„关键傿•°åŒ…括BNå«é‡ã€å°ºå¯¸åŠæ™¶ä½“状æ€ã€BN的分布形貌ç‰ã€‚在实验设计ä¸?为了改善填料与基体间界é¢çƒé˜»,首先对BN表é¢å…±ä»·é”®æ”¹æ€§æˆ–表é¢åŒ…覆,éšåŽç»“åˆèšåˆç‰©ç§ç±»è®¾è®¡ç›¸åº”çš„å®˜èƒ½å›¢æ¥æ”¹å–„BN与èšåˆç‰©çš„界é¢ä½œç”¨åŠ›;å…¶ä¸BN表é¢çš„共价键改性对BNæœ¬èº«æ™¶ä½“ç»“æž„æœ‰ä¸€å®šçš„ç ´å,表é¢åŒ…è¦†åˆ™èƒ½å¤Ÿè¾ƒå¥½åœ°ä¿æŒBN结构。为了改善填料与填料间界é¢çƒé˜?ç ”ç©¶è€…å¸¸é‡‡ç”¨BNçš„å®šå‘æŽ’åˆ—ã€æ¡¥æŽ¥ã€æž„å»?D导çƒç½‘络结构ç‰ç–ç•¥æ¥æ”¹å–„填料间的接触,å…¶ä¸BNçš„å®šå‘æŽ’åˆ—æ³•å……åˆ†åˆ©ç”¨BNçš„å„å‘异性ã€å¢žå¤§å¡«æ–™é—´çš„æœ‰æ•ˆæŽ¥è§¦é¢ç§?能够显著æå‡å¤åˆææ–™æŸä¸€æ–¹å‘çš„TC;桥接法是将彼æ¤åˆ†ç¦»çš„BN相互连接,通过在基体ä¸å½¢æˆå¼‚è´¨ç»“æž„æ¥æž„建更为完善的导çƒè·¯å¾„;构建3D导çƒç½‘络结构的方法近年æ¥å·²è¢«å¹¿æ³›ç ”ç©¶,其能够创建长程连ç»çš„导çƒè·¯å¾„,å…·ä½“æ–¹æ³•åŒ…æ‹¬å†°æ¨¡æ¿æ³•ã€ç›æ¨¡æ¿ã€å‘泡ç–ç•¥ã€æž„建å‡èƒ¶ç½‘络和两相/三相隔离结构ç‰ã€‚综åˆç›®å‰ç ”ç©¶è¿›å±?本文首先归纳了计算BN/èšåˆç‰©ç•Œé¢çƒé˜»çš„æ¨¡åž‹åŠç›¸å…³æ¨¡æ‹Ÿçš„进展,并从填料与基体åŠå¡«æ–™ä¸Žå¡«æ–™é—´çš„界é¢çƒé˜»ä¸¤ä¸ªè§’åº?分别总结了改善èšåˆç‰©/BN导çƒå¤åˆææ–™ç•Œé¢çƒé˜»çš„ç–ç•?对比了å„ç§æ–¹æ³•对å¤åˆææ–™å¯¼çƒæ€§èƒ½çš„æ”¹å–„效æž?并展望了低界é¢çƒé˜»ä¸Žé«˜å¯¼çƒå¤åˆææ–™çš„å‘展趋势ã€?..
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