粤升设备自主研发的SiC外延炉，外延炉已获得多家外延生长厂家批量订单，生长的SiC外延片质量达到国�?*水平，满足SBD和MOSFET器件的制备要求、�/p>

设备名称:SiC外延炈�/p>

设备型号:YS-E08S01

设备功能:CVD法生长SiC同质外延

衬底尺寸:6吋兼�?吊�/p>

片内厚度不均匀�?<2%片内掺杂浓度不均匀�?<5%形貌缺陷密度:<1�?平方c㎠�/p>

·具备n、p型及高速率的外延生长能劚�/p>

·RUN TO RUN性能优异

高均匀性、低缺陷的SiC外延质量

，供液一体化系统＋�/p>