单晶圆清洗设夆�/h2>

应用领域

� 沉积前清洖�/p>

� 蚀刻后清洗

� CMP后清洖�/p>

� RCA标准清洗

� W Loop后清洖�/p>

� Cu Loop后清洖�/p>

� 去除BEOL聚合�?/p>

� 深层Trench/Via清洗

� 薄膜去除

� TSV后清洖�/p>

� EPI前清洖�/p>

� ALD前清洖�/p>

主要优势和特性规格（Ultra C II & Ultra C V & Ultra C VI（�/h1>

可配8腔体�?2腔体�?8腔体，产能可�?25�?小时,375�?小时�?00�?小时

具有双面清洗的能力，*多可配至5种清洗药液，如：DHF, DSP+, f-DIW, FOM, SC1, SC2, DIO3, ST250, EKC580, NE111, IPA或配方药液；集成式药液供给模坖�/p>

*多可回收2种药液，低COO

可选配常温IPA或者高温IPA增强型干燥技�?/p>

可选配氮气雾化DIW二流体清洗或氮气雾化SC1二流体清洗来辅助去除颗粒杂质

可选配盛美研发的SAPS兆声波技术进行平坦表面或深孔结构中的湿法清洗

可选配盛美研发的TEBO兆声波技术对图形片来进行高效无损伤清洖�/p>

设备尺寸：Ultra C II 2.35m x 5.53m x 2.85m, Ultra C V 2.35m x 6.7m x 2.85m, Ultra C VI 2.35m×6.30m×2.85m (宽×长×�?