特�?/span>

灵敏度：对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的**分辨玆�/p>

测量速度�?英寸硅晶圆片�?mm分辨� ，小�?分钟

寿命测试范围: 20纳秒到几十毫科�/p>

沾污检测：源自坩埚和生长设备的金属(Fe)污染

测量能力：从初始切割的晶圆片到所有工艺加工的样品

灵活性：允许外部激光通过触发器，与探测模块耦合

可靠性： 模块化和紧凑台式仪器，更高可靠性，正常运行时间> 99%

重现性： > 99.5%

电阻率：无需时常校准的电阻率面扫揎�/p>

用于研发或生产监控的灵活检测工其�/span>

MDPmap是一个紧凑的离线台式检测设备，对生产控制或研发进行无接触电学参数特性检测。可测量参数如载流子寿命、光电导性、电阻率、缺陷信息在稳态或注入范围宽短脉冲励磁(��-PCD)。自动化的样品识别和参数设置可以方便地适应各种不同的样品，包括在不同的制备阶段，从生长的晶圆片到高�?5%的金属化晶圆片的外延片和晶圆片、�/p>

MDPmap主要优点是其高度的灵活性，它允许集�?�?个激光器，用于从超低注入到高注入，对依赖于注入水平的少子寿命参数测量，或者使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设置以及��-PCD或稳态注入条件选项。可以使用不同的图谱进行客户定义的计算，也可以导出原始数据进一步评估。对于标准计量任务，可用一个预定义的标准，使常规测量只需按一个按钮�