日本电子
JEM-ARM200F
透射电子显微镛/strong>——富瑞博国际有限公司代理多家国际知名仪器厂商产品
仪器简介：
JEM-ARM200F的电子光学系统标准配备了一体化的球差校正器 其扫描透射像分辨率(STEM-HAADF)达到?.08nm，为商用透射电子显微镜分辨率的世界之*、/p>保证0.08nm的世?*STEM (HAADF) 分辨玆/h3> ARM200F为电子光学系统标准配备了一体化球差校正器，电气和机械性能的稳定性也达到极限水平 使扫描透射?STEM-HAADF)分辨率达?.08nm 成为商用透射电子显微镜中的世界之*。电子束在像差校正之后， 束流密度比传统的透射电子显微镜高出一个数量级。因为束流更亮更细、电流密度高 ARM200F能够在进行原子水平分析的同时 还能缩短检测时间和提高样品处理能力、/p>
电气稳定性的提高
要达到原子水平的分辨率， 控制电子光学系统的电源需要稳定。ARM200F把高压和物镜电流变动降低到传统透射电子显微?0% 大幅度地提高了电气的稳定性、/p>机械稳定性的提高
照射系统和成像系统采用像差校正器，实现原子水平的分析和成像，需要控制原子水平的振动和变形 ARM200F整体机械强度比传统透射电子显微镜增大两倍，通过增大镜筒尺寸，提高了刚度，优化了操作台结构，增强了机械的稳定性、/p>高扩展性的STEM 分析能力
暗场检测器因STEM检测角度的不同有两种类?其中一种为标配) 它和明场检测器(标准配备) 背散射电子检测器 (选配? 可以同时安装。新的扫描成像获取系统能够同时收?种不同类型的信号 可以同时观察?种图像、/p>环境对策
装置设置室的温度变化和杂散磁场也能引起原子水平的振动和变形。为降低外部影响，ARM200F特别标配了热屏蔽和磁屏蔽系统。另外，对镜筒加外売覆盖以免受周围空气对流所引起的镜筒表面温度变化的影响、/p>用于成像系统的球差校正器 （选配件）
使用选配的成像系统球差校正器 透射电子显微镜的图像(TEM)分辨率能提高?.11 nm、/p>JEM-ARM200F 规格
| 分辨玆/td> |
| 扫描透射僎sup>1) |
0.08 nm2)(加速电压为200kV? |
| 透射僎/strong> 点分辨率 线分辨率 |
0.19 nm (加速电压为200kV? 0.11 nm （使用成像系统球差校正器3) 加速电压为200kV? 0.10 nm |
| 放大倍率 |
| 扫描透射僎/strong> |
200 150?00?00x |
| 透射僎/strong> |
50 2?00?00x |
| 电子?/strong> |
肖特基场发射?/td> |
| 加速电厊/strong> |
80 200 kV4) |
| 样品?/td> |
| 样品?/strong> |
全对中侧插式测角?/td> |
| 样品尺寸 |
直径3mm |
| 样品倾斜觑/strong> |
**25(使用双倾台) |
| 移动范围 |
X/Y:1.0mm(马达驱动) |
| 球差校正?/td> |
| 照明系统的球差校正器(STEM) |
标准配置 |
| 成像系统的球差校正器(TEM) |
选配仵/td> |
| 选配仵/strong> |
能谱?EDS) 电子能量损失谱仪 (EELS) CCD 相机筈/td> |
1. 使用HAADF (高角度环形暗?检测器2. 测试标样Ge(112)情况下保?
3. 选配仵/p>
4. 标准电压: 120 kV 200 kV
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