通过微机械剥离高定向热解石墨(HOPG)法和化学气相沉积�?CVD)分别制备了不同层数的石墨烯片,并将其转移到硅片上。利用石墨烯片在不同厚度SiO2硅片上光学显微图像颜色及对比度存在的差异,对其层数进行了识别与区分。采用原孏�/p>2011�?5�?9�?nbsp;更新

采用自沉积方法将HAuCl4直接还原成纳米金颗粒并修饰在碳纳米管表面,所制备的纳米金(Au-CNTs/C)修饰电极对邻苯二�?CAT)具有高的电催化氧化作�?采用循环伏安法考察CAT在Au-CNTs/C电极上的电化学行�?叐�/p>2011�?5�?6�?nbsp;更新

采用自沉积方法将HAuCl4直接还原成纳米金颗粒并修饰在碳纳米管表面,所制备的纳米金(Au-CNTs/C)修饰电极对邻苯二�?CAT)具有高的电催化氧化作�?采用循环伏安法考察CAT在Au-CNTs/C电极上的电化学行�?叐�/p>2011�?4�?9�?nbsp;更新

用粉末冶金法制备了一定含量的镀铜和不镀铜TiB2-Cu-C复合材料,以及Cu-C复合材料,对它们的物理和力学性能进行了测�?并在滑动速度�?0 m/s,载荷�?.9 N的干摩擦条件下进行了36 h磨损试验,结果表明:镀铜Ti

用C3H6作为碳源�?Ar作为稀释气体和载气,TaCl5为钽�?采用化学气相沉积�?chemical vapor deposition,CVD)在高纯石墨表面制备TaC涂层。采用X射线衍射(XRD)和扫描电�?SEM)等对涁�/p>2011�?4�?8�?nbsp;更新

通过对球化不良、石墨漂浮和夹渣三种常见缺陷的宏、微观特征的观察,分析了形成缺陷的原因,提出的防止缺陷产生的措施,能有效地控制和减少废品的产生,提高了铸件合格率、�/p>2011�?4�?5�?nbsp;更新

利用激光瞄准光电高温计对同一坩埚的温度重复性和坩埚间的温度重复性进行试�?并绘制了标准坩埚、套坩埚的功率与温度曲线,标准坩埚和套坩埚常用功率的升温过程曲线。实验表昍�同一标准坩埚�?.0 kW功率下重复加�?�?每次加热时间

石墨�?graphene)是继富勒烯、碳纳米管后,2004年首度发现的一种稳定存在的二维量子体系—单层石墨片,具有许多独特电子性质。在此基础�?用graphene片段化学合成各种衍生的graphene功能分子,结构和一些性质