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MOCVD石墨基座
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等静压石?光纤、半导体
  公司研发专用于光纤、半导体领域的石墨件,适用于多种场?br style="box-sizing: border-box;"/>  **代半导体(硅晶圆拉晶、外延、SOI):加热器、坩埚、保温桶、导流筒等热场部仵br style="box-sizing: border-box;"/>  第三代半导体(PVT法生产SiC单晶、GaN衬底外延):坩埚、保温加热石墨件、透气板、衬底外延用石墨、多孔石?br style="box-sizing: border-box;"/>  光纤9/span>加热器、保温管、马弗管等石墨器仵br style="box-sizing: border-box;"/>  其他9/span>芯片封装、离子注射及刻蚀、泡生法蓝宝矲/span>

光纤、半导体用等静压石墨产品规格及技术指栆/span>

指标 单位 GRB1 GRB2 GRB3
体积密度 g/cm³ 1.78-1.80 1.80-1.82 1.82-1.85
抗折强度 Mpa 45.00 50.00 55.00
肖氏硬度 HS 55.00 65.00 68.00
电阻玆/span> μΩ·m 11-13 11-13 11-13
热膨胀系数 10-6/ℂ/span> 4.50 4.70 4.80
气孔玆/span> % 12.00 10.00 8.00
平均粒度 μm 12 10 10

  注:1)热膨胀系数试样?0*50mm,温度为RT-600℃温?br style="box-sizing: border-box;"/>    2)产品指标与规格可根据客户要求定刵br style="box-sizing: border-box;"/>    3)总灰?lt;5ppm,微量元素含量均可满足半导体要求


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