误差率:
0.1%分辨率:
100pA重现性:
旟/span>仪器原理9/p>图像分析
分散方式9/p>数字
测量时间9/p>s
测量范围9/p>漏电流测试范?nA~100mA
看了IGBT静态测试设备的用户又看亅/p>
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IGBT简介:
IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件,期间经常使用在强电流高电压的场景中,如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成,兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点,IGBT是电力电子设备的“cpu”,被国家列为重点研究对象、/span>
IGBT测试难点9/span>
1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试、/span>
2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试、/span>
3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试、/span>
4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性、/span>
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要、/span>
6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试、/span>
IGBT静态测试设夆/strong>认准武汉生产厂家普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于广泛应用于半导体测试行业; 本功率器件静态参数测试系统可以完成多项参数测试,如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等、/span>
IGBT静态测试设夆/strong>应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN:br/>
普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景