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AMPTEKX射线/X光硅漂移探测器XR-100SDD
AMPTEKX射线/X光硅漂移探测器XR-100SDD

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美国

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    XR-100SDD垊/strong>X射线硅漂移探测器

    125eV的能量分辨率?/p>

    采用电冷技?无需液氮?/strong>


    国span>1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5

    国span>2.硅漂移探头元件示意图

    XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头,前置放大器(前放)和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境,而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路,这样探头组件的温度保持在约零上span>55摄氏度左右,并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采?span>TO-8封装,并利用不透光和不透气(真空封装适用)的薄铍(Be)窗以实现封装后的?span>X射线探测、/span>

    XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能,它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破、/span>

    产品特性:

    1. 高计数率?00?00 CPS(每秒计数 counts per second):/p>

    2. 能量分辨率:125eV(半高全宽,FWHM,对应峰值为5.9keV的情况):/p>

    3. 高峰本比?0?00:1?ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical) :/p>

    4. 面积25mm2,厚?00?m:/p>

    5. 内置多层准直器;

    6. 不需要液氮制冷、/p>

    应用范围9/strong>

    1. X射线荧光分析:/p>

    2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪:/p>

    3. OEM和其他专业应用;

    4. 生产工艺流程反馈控制:/p>

    5. 高校和科研院所实验室研究;

    产品参数9/strong>

    本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求、/p>

    I. 高能量分辨应用:

    1. 超高能量分辨率:125eV(对应峰值为5.9keV的情况):/p>

    2. 峰化时间(Peaking time)?1.2?s:/p>

    3. 计数率:100?00 CPS:/p>

    4. 峰本比:?0?00:1:/p>

    II. 快速峰化应用:

    1. 能量分辨率:155eV(对应峰值为5.9keV的情况):/p>

    2. 峰化时间(Peaking time)?.8?s:/p>

    3. 计数率:500?00 CPS:/p>

    III. 手持设备应用9/span>

    1. 能量分辨率:150eV(对应峰值为5.9keV的情况):/p>

    2. 峰化时间(Peaking time)?.2?s:/p>

    3. 探测器探头温度保持在250K?24oC(/p>

    4. 计数率:200?00 CPS:/span>

    XRF设备由此开 ... ...

    国span>3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得皃sup>55Fe能谱


    产品说明

    XR-100SDD型硅漂移探测器(SDD)是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器,它标志着X射线探测器生产工艺的变革、/span>XR-100SDD因其体积小,性能优越且价格便宜等特点,是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择;而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率,可以满足各种参数需求;另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳,方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套、/p>

    硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似,但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品、/p>

    同样的探头面积下,硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多,则所需成型时间变短,电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同(较高)的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上,探测器中的电极结构是特制的、/span>


    产品参数

    常规参数
    探头类型 硅漂移探测器(SDD)
    探头尺寸 25mm2
    硅晶体厚?/span> 500m
    准直?/span> 内置多层准直?ML)
    能量分辨?@55Fe 5.9keV? 125-140eV FWHM (11.2s峰化时间)
    峰本?Peak to Background) 20?00:1 (5.9keV?keV计数?典型皃/span>
    ?Be)窗厚?/span> 0.5mil (12.5m)
    电荷敏感型前置放大器 Amptek定制可复位放大器
    增益稳定性(温飘(/span> <20ppm> oC (一般情况下)
    外壳尺寸 3 x 1.75 x 1.13 inch 7.6 x 4.4 x 2.9 cm
    重量 4.4 ounces (125g)
    总功玆/span> <1W
    保修朞/span> 一平/span>
    产品寿命 五到十年,因具体应用而异
    环境温度 0~+50oC
    仓储和物流要汁/span> 长时间仓储:干燥条件下存放十年以三/p>

    仓储/物流需求:-20?50oC?0%?0%湿度(无冷凝器)

    TUV Certification

    Certificate #: CU 72072412 02

    Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05

    CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004

    输出参数
    前置放大器电溏/span> 电压正负8?V,电?5mA,噪声峰峰值小?0mV
    探头电源 电压-90?150V,电?5A:/p>

    输入需要非常稳定:<0.1%的波动、/span>

    制冷器电溏/span> **电压3.5V?*电流350mA,噪声峰峰值小?00mV:/p>

    注意:XR-100SDD探测器自身包含温度控制器

    输出参数
    前置放大器灵敏度 一般为1mV/keV(不同探测器可能略有不同(/span>
    前置放大器极?/span> 正脉冲信号输出(**负载?k欧姆(/span>
    前端放大器反馇/span> 复位
    温度显示灵敏?/span> 利用PX5/X-123等直接读取温度(单位:开尔文(/span>
    可选配置或配件
    X-123SDD

    硅漂移探测器(SDD)也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头,前置放大器,DP5数字脉冲处理和多道分析模块,以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接、/span>

    包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品

    真空配件 和所有Amptek真空配件兼容
    OEM 和所有Amptek OEM配件兼容

    注意事项9/strong>

    1.硅漂移探测器需要负高压,而前放输出为正脉冱/span>、/p>

    这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压,而前方输出为负脉冲正好相反;

    2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块,则PX5必须设置丹span>负高压输凹/span>、/p>

    在使用XR-100CR探测器时,因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内、/p>

    而使用XR-100SDD探测器时,因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏?span>不在保修范围之内、/span>


    准直器的使用

    为提高能谱测量的质量,绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器、/p>

    探测器有效面?active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号,进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围,降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内,这就避免了噪声信号的产生、/p>

    不同类型的探测器中准直器的应用各有优点:提高峰本比(P/B);消除边界效应;消除假尖峰信号、/span>


    真空环境中的应用

    XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作,而真空环境应用有如下两种方案9/p>

    1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部9/p>

    a. 为保证XR-100SDD的正常工作,需避免器件过热,并做好输入?W功率的良好导热;即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔,根据具体真空室位形设计散热,将器件热量传导到真空室壁上;

    b. 在CF(Conflat Flange)刀口法兰上利用可选的真空馈通端子(?DVF型,九接口)连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源、/p>

    2) XR-100SDD全部置于真空室外:需利用可选的真空探测器延长组件(如EXV9型加长管,长9英寸)和标准CF刀口法兰窗口(通过O圈密封)配套、/span>

    ?. 真空条件使用中可选的延长组件

    ?. 高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用(定制法兰?个SDD探测器)


    其他系统说明及性能曲线

    ?. SDD的能量分辨率和峰化时间曲纾/p>

    ?. Si-PIN和SDD探测器的分辨?峰化/成形时间曲线对比

    ?. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线(SDD配套DP5使用(/span>

    该图也表示了**输出计数率曲线(黑色虚线)。而系统工作参数在该曲线右边区域时,尽管输入计数率很高,但输出计数率仍会小?*值,具体情况见下?、/span>

    ?. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线(输出效率)

    由于SDD探测器具有更小的电容,在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6s或更小的成形时间,这极大提高了系统的输出效率、/span>

    ?0. 使用SDD得到皃sup>55Fe能谱

    ?1. 不同峰化时间上/span>SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲纾/span>

    ?2. 综合考虑铍窗(及保护膜)的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线、/span>

    曲线的低能量部分由铍窗厚度决定(0.3mil/8m?.5mil/12.5m),而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定?00m、/p>

    传输效率文件:包含传输效率方面系数和常见问题解答?zip格式文件,仅提供基本信息+span>不能作为定量分析依据、/span>


    SDD应用中的各种能谱国/span>

    利用高性能硅漂移探测器(Super SDD)和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谰

    ?3. SS316型不锈钢

    ?4. PVC样品(RoHS/WEEE标准(/p>

    ?5. CaCl2溶液?00ppm Ca 1200 ppm Cl(/p>

    ?6. 含有少量KCl的原油(1100ppm)中的S元素

    ?7. 汽车催化剁/p>

    ?8. 铂金(Pt)戒指


    完整的X射线荧光谱仪(XRF)系绞/span>

    ?9. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生?/span>

    完整的XRF系统包括9/span>

    1. XR-100SDD型硅漂移探测器;

    2. PX5型数字脉冲处理器,多道分析器及电源;

    3. Mini-X型USB控制X射线管;

    4. XRF-FP定量分析软件:/p>

    5. MP1型XRF系统安装平台、/span>


    更多信息请关注AMPTEK英文官方网站:、/span>

    创新炸/div>

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    产品质量

    10刅/span>

    售后服务

    10刅/span>

    易用?/p>

    10刅/span>

    性价毓/p>

    10刅/span>
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