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设备具有大尺寸、高抽速的真空设计:/span>
配备先进的液面距测量、宽幅炉压精确控制、氧化物处理等系统;
生长晶体可满?2英寸重掺硅片?2-18英寸硅单晶耗材指标的要求、/span>
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