主要特点９�/p>

设备特点９�/p>

1、占地小、稳定性高、操作与维护方便

2、可广泛用于硅， 碳化硅， 氮化镓，砷化镓，玻璃等材料的涂胶显影工艺

3、可覆盖0.35um以上工艺需求，满足2~6寸晶圆需求，可涂�?~20000CP光刻胵�/p>

4、控制精度高，实时控制解决方案，Ether CAT 通讯，高精度摆臂及传输机枃�/p>

5、自主可控的技术方案，自主开发的软件系统，充分满足定制化要求

主要参数:

主要参数	片盒数量	2&3CS
	wafer 类型	圆片、方牆�/span>
	wafer 尺寸（mm（�/span>	50-150
	产能（WPH（�/span>	110
	衬底材料	Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTaO3、Li3PO4
	适用工艺	g-line、i- line、PI

设备特点９�/p>

1、占地小、稳定性高、操作与维护方便

2、可广泛用于硅， 碳化硅， 氮化镓，砷化镓，玻璃等材料的涂胶显影工艺

3、可覆盖0.35um以上工艺需求，满足2~6寸晶圆需求，可涂�?~20000CP光刻胵�/p>

4、控制精度高，实时控制解决方案，Ether CAT 通讯，高精度摆臂及传输机枃�/p>