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产品特?/p>
产品概述
镓仁半导体可提供高质量氧化镓专用长晶设备
技术参?/p>
晶体生长炉设备指栆/p>
**工作温度?820℃;
高温工作气氛:大气环境(O2浓度 21%);
连续工作时长:≥100h ,确保完成一炉晶体生长;
晶体生长段温度梯度:?0 ?cm:/p>
晶体生长速度?.2 ~ 4 mm/h、/p>
高温工艺段控温精度: ±0.2 ℂ/p>
全温度段控温精度:≤ ±0.3 ℂ/p>
暂无数据
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