采用电阻加热和改进的自蔓延高温合成法＋�/p>

合成可用于单晶生长的高纯SiC粉料的设备、�/p>

可提供半定制化服加�/p>

高真穹�/p>

腔体内壁经镜面抛光，减少气体附着：�/p>

各表面严密结合，避免产生泄露：�/p>

大抽速泵体，实现快速抽空功能；

高密封性阀体，实现长时间的真空保压、�/p>

高精寅�/p>

高精度数控加工部件；

精密传动部件：�/p>

高品质电控系统；

实现运动系统的高精度控制，重复定位无偏差、�/p>

全自�?/p>

自主开发系统，实现全自动过程；

兼容各种工艺操作流程：�/p>

操作权限分级，减少误动作：�/p>

自主研发异地网络远程监控SiC操作系统——安全，可靠，便捷，实现无人值守远程控制、�/p>

碳化硅原料合成炉(100~150kg,电阻�?

晶体尺寸 100 ~ 150kg

工艺 SHS

加热方式 电阻�?nbsp;

基本参数 主机尺寸 W3150 x D1850 x H4780mm

整机重量 �?T

支持系统 �?nbsp; � �?nbsp; � 280kVA

�?nbsp; � 380VAC±10%, 3P, 50/60Hz

� � � �?nbsp; � 0.3 ~ 0.5MPa

�?nbsp; � �?50L/min

工艺气体 �?nbsp; � �?.2MPa

压缩空气 �?nbsp; � 0.5 ~ 1.0MPa