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氮化镓高压助熔剂晶体生长设备品牌
晶升电子产地
山东样本
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简 1.Na助溶剂液相外延生?-4 英寸GaN晶片，也可用于高压助熔剂法探索新型氮化物晶体 2.助熔剂法（Na FLUX METHOD）生长氮化镓（GaN）单晶具有诸多优势是目前国际上公认的可实现高质量、大尺寸氮化镓体单晶产业化生产的生长技术之一 3.双温区加热，**使用温度1000°C?*压力9 Mpa 4.氮气溶解速度快，分布均匀，生长速度可达30 微米/小时 5.可外延生?nbsp;
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