尺寸９�/span>

� 5 mm x 5 mm x 70 mm

� 5 mm x 5 mm x 100 mm

� 6 mm x 6 mm x 100 mm

电阻９�/span>大于 200 欧姆·厘米

生产方式９�/span>FZ（浮区法（�/span>

掺杂元素９�/span>� (P)

晶向９�/span>111

掺磷（掺P）籽晶是在半导体材料，尤其是硅晶体生长过程中使用的一种技术。在硅晶体的生长过程中，通过在硅中掺入磷原子，可以改变硅的电学性质，使其从本征半导体转变为N型半导体、�/span>

掺磷籽晶的基本原琅�/span>

‡�/span>掺杂: 在半导体制造中，掺杂是向纯净的半导体材料中引入少量的杂质原子的过程，目的是改变材料的电导率。磷作为一种五价元素，当掺入四价的硅晶格中时，磷原子会有一个额外的电子，这个电子可以自由移动，增加材料的导电性、�/span>

‡�/span>N型半导体: 掺入磷后的硅晶体是N型半导体，因为多出的自由电子成为了主要的电荷载体、�/span>

掺磷籽晶的应�?/span>

‡�/span>电子器件制速�/span>: 掺磷的硅晶体是制造各种电子器件（如晶体管、二极管、集成电路等）的基本材料、�/span>

�?nbsp;太阳能电江�/strong>: 在太阳能电池制造中，掺磷硅也被广泛使用来提高电池的效率和性能、�/span>