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产品介绍９/p>
用于6?amp;8 吋的 SiC 晶体生长，装 SiC粉料和支撑反应腔宣br style="padding: 0px;"/>
适用机型９/p>
第三代半导体 SiC 长晶炈br style="padding: 0px;"/>
产品参数９/p>
基材：等静压石墨(纯度>6N)
特点：纯度高，高导热，传热均匀性好
暂无数据
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