参考价栻/p>面议
型号
芯片封装高分辨观 Phenom Pharos G2品牌
产地
荷兰样本
暂无
金牌会员
|?平/p>|
代理啅/p>
工商已核宝/p>
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探测器：
背散射探测器、二次电子探测器加速电压：
1 kV - 20 kV 连续可调电子枪：
肖特基热场发射电子枪电子光学放大９/p>2,000,000 X
光学放大９/p>27 - 160 X
分辨率：
优于 1.5 nm复纳科技扫描电镜
复纳科技芯片封装高分辨观 Phenom Pharos G2
国产扫描电镜
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Phenom Pharos G2 是飞纳推出的台式场发射扫描电镜，可应用于芯片封装结构的高分辨观察，为封装材料研发、器件检测及微观缺陷分析提供扫描电镜成像支持、/p>
芯片封装涉及芯片、焊点、封装材料及不同材料之间的界面结构。针对封装截面、连接区域或局部异常位置进行微观观察时，细小结构和缺陷往往需要更高的成像分辨率。Phenom Pharos G2 采用肖特基热场发射电子枪，可用于封装表面、界面、焊点及微小缺陷区域的精细形貌观察、/p>
设备电子光学放大倍数**可达 2,000,000 X，分辨率优于 1.5 nm，适合微纳尺度结构、高分辨表面形貌及精细结构分析等应用。加速电压支 1 kV - 20 kV 连续可调，用户可根据样品特性和观察目标选择相应的成像条件、/p>
Phenom Pharos G2 支持低、中、高三种真空模式，配备背散射电子探测器和二次电子探测器，并可根据实际分析需求选配能谱探测器，用于进一步获取局部区域的元素信息。台式化设计也使设备能够应用于研发实验室、企业检测部门及材料分析机构、/p>
采用肖特基热场发射电子枪，可用于芯片封装结构、材料界面及微小缺陷区域的高分辨扫描电镜成像、/p>
电子光学放大倍数**可达 2,000,000 X，分辨率优于 1.5 nm，适合焊点、界面及其他精细微观结构的形貌分析、/p>
加速电压范围为 1 kV - 20 kV 连续可调，可根据封装材料、样品状态及观察需求调整测试条件、/p>
设备支持低真空、中真空和高真空模式，可适应不同类型电子材料及封装样品的观察需求、/p>
标配背散射电子探测器和二次电子探测器，可从不同角度获取样品形貌和成分差异信息；根据应用需求还可选配能谱探测器开展元素分析、/p>
设备采用台式化设计，适用于半导体研发、电子封装材料研究、器件检测及相关实验室分析场景、/p>
Phenom Pharos G2 可应用于以下场景９/p>
芯片封装结构高分辨观寞/p>
封装材料及截面微观形貌分枏/p>
焊点及连接区域观寞/p>
芯片与封装材料界面分枏/p>
半导体器件局部缺陷检浊/p>
电子元器件失效分枏/p>
封装工艺研发与质量控刵/p>
微纳结构材料研究
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 产品型号 | Phenom Pharos G2 |
| 产品全称 | Pharos 台式场发射电镛/td> |
| 产品类型 | 台式场发射扫描电镛/td> |
| 光学放大 | 27 - 160 X |
| 电子光学放大 | 2,000,000 X |
| 分辨玆/td> | 优于 1.5 nm |
| 电子?/td> | 肖特基热场发射电子枪 |
| 光学导航相机 | 彩色 |
| 加速电厊/td> | 1 kV - 20 kV 连续可调 |
| 真空模式 | / / 高三种模弎/td> |
| 探测?/td> | 背散射探测器、二次电子探测器 |
| 可选探测器 | 能谱探测?/td> |
设备可用于封装表面、封装截面、材料界面、焊点及局部异常区域的微观形貌观察。具体分析效果与样品制备方式、材料特性及观察目标有关、/p>
可以根据需求选配能谱探测器，对封装材料、颗粒、异常区域或局部位置进行元素分析，为材料成分判断和失效分析提供参考、/p>
Phenom Pharos G2 还可用于半导体材料、纳米材料、碳材料、催化剂、陶瓷、锂电材料及光伏材料等需要高分辨微观形貌观察的应用、/p>
产品价格会根据具体配置、探测器选项及实际应用需求确定。用户可通过平台询价或留言提交样品类型和分析需求，获取相应的产品配置建议、/p>
如需了解 Phenom Pharos G2 在芯片封装高分辨观察中的应用方案、设备配置或相关测试资料，可通过平台询价或留言提交样品类型及分析需求，获取进一步产品信息、/p>
暂无数据
2020-12-09
2020-12-21
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