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超高真空多功能薄膜制备系?磁控溅射、电子束蒸发)
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仪器简介:

此系统可以配置多种沉积方?预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科?

高真空条件沉积模式(使用机械?分子泵,或冷凝泵)。多种组合沉积模式,同一腔体实现多种功能沉积方式,沉积源模式月

磁控溅射源Sputter source

电子束蒸发E-beam Sources

K-cell蒸发

热蒸发Thermal sources

氧化物源Oxide sources

此系统高度灵活,软件操作方便,专业为研究机构沉积超纯度薄膜,真正的高真空沉积系统、/p>

The System is designed to be a highly flexible system for thin-film research in ultra pure conditions. The system can be configured to be true-UHV and allows for multiple deposition component options.

感谢中科院上海应用物理研究所上海光源同步实验部用此设备,为广大专业研究人员提供服务!?/p>

上海光源同步实验部配置的是磁控溅射(直流和射频均有)和电子束蒸发的组合功能,膜厚均匀?镀?00纳米左右厚度)均达?3%,这种组合系统极大地扩展了沉积功能,性能价格比超高,是研究人员的有力工具!!

使用此系统的主要用户还有:中科院微系统所,北京大学,中国科技大学,中北大学等

技术参数:

顶部法兰: 12“/p>

Radial ports? x NW100CF

沉积接口: 5 x NW100CF 4 x NW35CF

分子泴 300ls 500 ls options

样品操作: Quick-open top-lid.

极限真空: <5x 10e-10 (24小时烘烤)

机柜: Low footprint frame on transport casters

样品台操? Rotation heating bias

样品操作: Load-Lock (可选)

Sample size样品尺寸: 1”, 2”, 3”, 4 ,大?”,12”等

膜厚监控: QCM Ellipsometry

烘烤: Internal or jacket

全自动软件操作,方便简单:Automation Touch screen pump down and process automation

系统尺寸:

Width: 1.5m

Height: 1.6m

Length (standard): 1.3m

Length: (with Loadlock): 2.0m

主要特点9/strong>

Top-loading chamber (500mm直径)

超高真空匹配接口

多种沉积源模式接叢/p>

Analysis load-lock and viewing ports

多种样品夹具 样品台可旋转,加?冷却,DC/RF偏压

多种沉积源模弎包括 high-rate e-beam low-rate (high accuracy) e-beam DC and RF sputtering thermal K-cell,oxide sources.

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