简�?Description)

B系列半自动快速退火炉，适用于多规格尺寸(9�?英寸�?�?英寸�?�?英寸)硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于，磷化铟、砷化镓、碳化硅、氮化镓等各类衬底和外延�?，拥有出色的热源和结构设计。双面加热方式与单面加热相比，可以大幅减小图案加载效应，晶片上热的均匀性将更好�?-5路气体配�?可定�?，可抽真空腔体。设备国产化率达�?5%以上，配件渠道丰富、�/p>

定义(Definition):

快速热处理(RTP)设备是一种单片热处理设备，可以将晶圆的温度快速升至工艺所需温度(200-1300�?并且能够快速降温，�?降温度速率�?0-250℃。RTP设备还具有其他优良的工艺性能，如**的热预算和更好的表面均匀性，尤其对大尺寸的晶圆片。多用于修复离子注入后的损伤，多腔体规格可以同时运行不同的工艺过程、�/p>

设备规格(Specifications)

1、适用�?�?�?�?英寸 Wafer(双腔体可摆放9�?英寸�?�?英寸�?�?英寸材料进行加热处理);2、冷却方式包括水冷和氮气吹扫(循环常温水冷却，软件可视化监控管理，防止外壁过热，内置氨气管路，吹扫腓�/p>

体，保持清洁，极速降�?;

3、MFC控制�?-5路制程气体�?品牌MFC控制器，内置多路气氛管路，可定制开通，满足各类测试工艺需�?;4、退火温度范� 300�?1000�?常规硅基材料温度适用�?50℃，第三代半导体材料**可到1350�?5、升温谏� �?50�?�?升温速度随不同的材料及装置会有差异，标准数据是裸片放置内测量后得出，150摄氏度每秒是常规温度速率，加热设备的极限会更�?;

6、Windows操作系统:(高性能工业电脑，搭载windows操作系统，larcomse专属软件操作，上手简单，系统功能强大，各类数据可视化程度高，内容丰富，亦可定制软件模�?;

7、配置真空系�?有定压功能，满足常规真空要求，使用分子泵能达到更高的真空度，能定制真空度);8、多只红外卤素光�?根据需求可配置数量不等的灯管，以满足工艺加热要�?

设备主要工艺应用(Application):

快速热处理(RTP)，快速退�?RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氨化(RTN);

离子注入/接触退�?

·高温退�?

●高温扩敢�

金属合金;

热氧化处理、�/p>