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深圳市重投天科半导体有限公司
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导电?H-SiC衬底晶片
晶片尺寸?~6英寸
晶片厚度?50 μm ± 15 μm
电阻率：0.015~0.024 Ω·cm
产品用途：产品主要于制造SiC电力电子
器件及SiC衬底上GaN光电子器件、/p>
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