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半绝缘型4H-SiC衬底牆/div>
半绝缘型4H-SiC衬底片的图片
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品牌９/dt>
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49
样本９/dt>
暂无
型号９/dt>
半绝缘型4H-SiC衬底
产地９/dt>
深圳
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称： 深圳市重投天科半导体有限公司
证：工商信息已核宝br /> 访问量：564
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衬底尺寸?~6英寸

晶片厚度?00 μm ± 15 μm

电阻率：?E10 Ω·cm

用途：主要用于外延GaN高功率射频器件，应用于微波射频领域、/p>


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