广州南砂晶圆半导体技术与您相约江苏!2025第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会


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[导读]  2025第三代半导体SiC晶体生长技术交流会,8月21日相约江苏·苏州

随着科学技术的飞速发展,半导体材料的革新速度也进一步加快。当前,碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域正快速渗透,已成为全球半导体产业的前沿和制高点。同时,我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域,碳化硅半导体将在我国5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。


近年来,我国在SiC材料领域取得了显著进展,但与国际先进水平相比,在晶体生长技术、晶圆加工技术等方面仍存在一定差距。SiC晶体生长过程中面临着晶体缺陷控制、生长速率提升、晶体质量稳定性等难题;晶圆加工方面,则存在加工精度不足、良品率低、加工成本较高等挑战。在当前倡导节能减排的大趋势下,快速稳定地突破碳化硅单晶尺寸和质量等关键问题,才能够更好地占据未来碳化硅市场。


在此背景下,www.188betkr.com 将于2025年8月21日江苏·苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会,大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。广州南砂晶圆半导体技术有限公司作为参展单位邀请您共同出席。



广州南砂晶圆半导体技术有限公司于2018年9月注册成立,是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售的国家高新技术企业,荣获国家级专精特新“小巨人”称号。公司创业初期以山东大学多年来研发的最新技术成果为基础,同山东大学徐现刚教授团队开展全方位产学研合作。


早年在蒋民华院士的指导下,长江学者徐现刚特聘教授带领团队历经多年研发,成功突破了碳化硅单晶生长及衬底制备技术,为碳化硅衬底的国产商业化奠定了良好的基础。公司总部设在广州市南沙区,现有广州、中山、济南三大生产基地,形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和村底制备等完整的生产线,公司产品以6、8英寸号电型和半绝缘型碳化硅衬底为主,可视市场需求不断丰富产品线。碳化硅单晶材料作为新基建的战略性材料,十分重要。公司将立足粤港澳大湾区,力争发展成为全国乃至全球驰名的碳化硅半导体材料公司。



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