一年暴涨约1800%!存储芯片暴涨“带飞”半导体设备市场


来源9/span>中国粉体 空青

[导读]存储芯片暴涨带飞半导体设备市场

中国粉体网讯1?日,话题“一盒内存条堪比上海一套房”,登上热搜、/p>



来源:微博热搜词杠/p>


据时代周报记者采访到,“内存几乎一天一个价”。以256G的DDR5服务器内存为例,单条价格已超?万元。“如果一次采?00根一盒,就是400万元,价值已经超过上海不少房产。“/p>


AI驱动,存储新周期开?/strong>


2026年伊始,这轮?024年末以来的存储涨价潮没有丝毫放缓的迹象,主要系人工智能服务器需求的爆发导致先进制程产能向HBM(高带宽存储器)等高端应用倾斜,挤压了其他市场的供给,引发全行业价格快速上涨、/p>


数据显示,部分内存模组现货价格在一年内涨幅高达?span style="color: rgb(192, 0, 0);">1800%,三星与SK海力士更计划?026年第一季度尅strong>服务器DRAM价格提升60%~70%。同时,北方华创、拓荆科技等半导体设备龙头股价接连刷新历史高点,市场资金积极涌入、/p>


多家机构在近期研报中指出,国产半导体设备与材料企业将直接受益于国内存储原厂的高稼动率与持续扩产计划,尤其在前道制程、量测、清洗、CMP等环节已实现突破的企业,订单能见度正在提升,因此被视为此轮存储大周期的先行受益板块,伴随需求持续释放,原厂扩产都必须率先采购设备,设备企业的业绩能见度较高,成为资金在产业周期早期重点布局的方吐/span>、/p>


产能扩张,半导体设备需求激墝/span>


SEMI在最新发布的《年终总半导体设备预测报告》中指出+strong>2025年全球半导体制造设备总销售额预计辽span style="color: rgb(192, 0, 0);">1330亿美兂/span>,同比增?3.7%,远?024?043亿美元的纪录+span style="color: rgb(192, 0, 0);">创下历史新高、/p>


AI相关投资的爆发式增长成为贯穿全年的核心主线,尖端逻辑电路、存储芯片及先进封装三大领域的设备需求持续旺盛,推动市场规模不断突破、/p>


2025年,芯片制造商为满足AI加速器、高性能计算和高端移动处理器的产能需求,持续加码先进节点投资,行业正加速向2nm GAA节点的大批量生产迈进。这一过程直接拉动了刻蚀、薄膜沉积、光刻等高端设备的需求,其中刻蚀设备因GAA制程对工艺精度的严苛要求,市场规模同比增长超20%、/p>


SEMI数据显示,ASML 2025年全年EUV设备交付量达60余台,同比增?0%,台积电、三星为主要抢购企业;TEL发布用于GAA工艺的刻蚀设备TEO-3000,加工精度达单原子水平,2025年出货量120台,其中三星采购58台用?nm产线搭建。国内市场,中微公司的CCP刻蚀设备已成功进入先进制程供应链,其60:1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内先进制程标配,量产指标稳步提升,下一?0:1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场;北方华创的深硅刻蚀设备实现先进逻辑电路制造批量应用、/p>


存储设备市场的快速增长同样体现在细分领域,DRAM设备销售额预计2025年增?5.4%?25亿美元,而NAND设备市场?D NAND堆叠技术进步的推动下,预计增长45.4%?40亿美元、/p>


HBM制造流程中TSV工艺占总成本的30%,对深孔刻蚀设备、气相沉积设备、铜填充设备的工艺精度和稳定性提出了极高的要求、/p>


2025年全球HBM相关设备订单量同比增?5%,其中刻蚀、沉积类设备订单占比超过70%、/p>


国内外半导体设备制造商纷纷推出针对HBM等高端存储产品的新型设备,抢占市场份额。拓荆科技的HBM专用ALD设备通过头部存储厂商验证?025年实现小批量出货。华卓精科推出的CMP装备、减薄装备、划切装备、边抛装备等产品均作为HBM、CoWos等芯片堆叠与先进封装工艺的关键核心装备,目前已在多家头部客户获得应用、/p>


关键支撑,精密陶瓷零部件不可或缺


在半导体制造设备中,精密陶瓷零部件的成本占比可?0%左右,虽然看似不起眼,却是支撑整个半导体芯片制造的关键环节、/p>


为实现高制程精度,先进陶瓷作为关键部件材料在以光刻机为代表的半导体装备中得以大量应用、strong>碳化硅陶瓶/strong>具有优良的常温力学性能、优异的高温稳定性以及良好的比刚度和光学加工性能+span style="text-decoration: underline;">特别适合用于制备光刻机等集成电路装备用精密陶瓷结构件,如用于光刻机中的精密运动工件台、骨架、吸盘、水冷板以及精密测量反射镜、光栅等陶瓷结构件等。其次,堇青矲/strong>具备高的弹性模量,可以有效抵制平台高速移动扫描过程中的变形,增加稳定性,实现轻量化需求,如今ASML公司已实现堇青石材料在光刻机移动平台部件中的成熟应用及推广、/p>


除了应用于移动平台,堇青石陶瓷还可以应用亍span style="color: rgb(192, 0, 0);">反射镛/span>叉span style="color: rgb(192, 0, 0);">掩膜片/span>筈/strong>,如荷兰ASML,日本NIKON、CANON等公司大量采用微晶玻璃、堇青石等材料制备光刻机反射镜、/p>


另外+strong>压电陶瓷材料以其无磁性干扰、定位分辨率高、发热量小等特点广泛用于光刻机投影物镜中像差补偿镜的定位执行器。目前商用的多层压电驱动器多采用固溶或掺杂改性后锆钛酸铅(PZT)基压电材料、/p>


在半导体刻蚀设备中,采用陶瓷材料制作的部件主要有窗视镛/span>+span style="color: rgb(192, 0, 0);">气体分散盗/span>+span style="color: rgb(192, 0, 0);">喷嘴+span style="color: rgb(192, 0, 0);">绝缘?/span>+span style="color: rgb(192, 0, 0);">盖板+span style="color: rgb(192, 0, 0);">聚焦?/span>咋span style="color: rgb(192, 0, 0);">静电吸盘筈/strong>。尤其是在等离子刻蚀环境中,对材料的耐腐蚀性要求极高,选择高纯Al2O3涂层?span style="color: rgb(192, 0, 0);">Y2O3涂层戕span style="color: rgb(192, 0, 0);">Al2O3陶瓷作为刻蚀腔体和腔体内部件的防护材料、/p>


陶瓷加热?/strong>是半导体薄膜沉积等设备中的重要部件,其核心功能就是在镀膜过程中实现对晶圆均匀加热和温度控制,使衬底表面上进行高精度的反应并生成薄膜。目前在现在越来越多的场景下,包?strong>一些PVD沉积设备中,氮化铝陶瓷加热器咋span style="color: rgb(192, 0, 0);">静电卡盘功能会做到一赶/strong>,这样可以通过控制氮化铝的体积电阻率,获得大范围的温度域和充分的吸附力、/p>


CMP是半导体制程中的关键技术,氧化铝陶瓶/strong>具备致密质、高硬度、高耐磨性的物理性质,以及良好的耐热性能、优良的机械强度,高温环境仍具有良好的绝缘性、良好的抗腐蚀性等物理性能,是用于制作CMP设备关键耗材的绝佳材料、/p>


而随着HBM堆叠层数不断攀升,先进封装技术如CoWoS和Chiplet正成为竞争焦点,陶瓷劈刀等封装工具的需求也在悄然增长、/p>


来源9/p>

中国电子报:AI驱动增长,国产半导体设备加速突図/p>

第一财经:存储芯片涨价潮席卷全球,国产半导体设备迎历史性机遆/p>

广州日报:一天一个价,涨幅远超黄?业内人士:离谱,但还会?/p>

国元证券:氮化铝陶瓷加热器和静电卡盘:半导体沉积和刻蚀环节核心组件业务值得期待

中国粉体网、时代周报、经济日?/p>


(中国粉体网编辑整理/空青(/p>

注:图片非商业用途,存在侵权告知删除

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作者:空青

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