中国粉体网讯氮化硅具有优异的物化性能，在国防、电子信息等关键领域都占据重要的地位。高质量粉体是制备高性能陶瓷的首要前提、/p>
氮化硅（Si3N4）是一种氮原子和硅原子比例?:3的共价键化合物，它是一种六方晶体结构，有α、β和γ三种晶相。其中α和β两相是Si3N4最常出现的型式，且可以在常压下制备、/p>
α-Si3N4是低温稳定相，?Si3N4是高温稳定相。在氮化硅陶瓷的烧结过程中，α-Si3N4会发生晶粒的异常生长，相变形成长柱状晶?Si3N4，此结构对裂纹扩展起到桥连、分叉、偏转作用，能提高材料的韧性，使得陶瓷的强度大大提高。所以，高的α相含量是得到高性能氮化硅陶瓷的重要保证、/p>
一般高品质氮化硅粉体应具备下列特征:
1)微粉粒度越细越具有高的比表面积，更有利于烧结的进行，从而形成更为均匀的显微结构，所以，氮化硅微粉的粒径要小，平均粒径至少为亚微米级;
2)氮化硅微粉晶型如果是等轴状的，会使素坯的密度有很大提高，因此，粉体中必须含有较多的粒状?Si3N4，从而在烧结时有足够的α相转变为β相，使陶瓷体获得良好的物理性能;
3)原料粉体的纯度必须较高，不能含有太多的杂质，因杂质会使氮化硅制品的力学性能大幅下降、/p>
目前能规模化生产氮化硅粉体的主要方法是硅粉直接氮化法和二氧化硅碳热还原法，但硅粉直接氮化法很难完全控制产物的晶相，一般会制备出α、β两种晶相混杂的微粉;二氧化硅碳热还原法因二氧化硅不能完全还原氮化，造成产品中有二氧化硅残存。因此，对可以大规模生产Si3N4粉体的方法，要吸收其他制备方法的优点，改进现有生产工艺中存在的问题，实现高质量Si3N4粉体的生产、/p>
2026??0?/strong>＋strong>中国粉体罐/strong>将在山东淄博举办第五届半导体行业用陶瓷材料技术大伙/strong>。我们邀请到山东中临半导体新材料有限公司董事长刘红亮作题丹strong>《低温中压等离子体射流技术在氮化硅粉体合成中的应用《/span>的报告、/p>
（中国粉体网编辑整理/空青（/p>
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