良率突破80%！安海半导体实现超高压碳化硅芯片量产

中国粉体网讯日前，合肥安海半导体股份有限公司碳化硅场效应晶体管（MOSFET）晶圆产品获中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产品质量检验中心现场见证测试通过，两款超高压碳化硅芯片实现规模化量产，且良率均突�?0%。业内专家指出，安海半导体此次高良率量产，成功打破国际企业垄断格局，为全球能源转型与高端装备升级提供了可靠的“中国芯”解决方案、�/p>

作为第三代半导体核心材料，碳化硅拥有远超硅材料的电学与热学性能，是制造高温、高频、大功率、高压半导体器件的理想选择，其功率器件已广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、航空航天等关键领域。但长期以来�?.5kV及以上超高压碳化硅器件的研发生产，始终面临工艺难度大、量产良率低的行业痛点，成为制约该领域技术落地与产业普及的关键瓶颈。安海半导体凭借深厚的技术积累，依托上下游产业链的协同合作，成功攻克这一行业难题，跻身全球率先以高良率实现超高压碳化硅芯片量产的厂商之列。业内人士指出，高良率不仅直接降低芯片生产成本，更能大幅提升供应链稳定性，为超高压碳化硅芯片的大规模市场普及铺平了道路、�/p>

据悉，安海半导体是由具备功率半导体行业超�?0年经验的资深团队组建而成，专注于高性能功率半导体技术、产品及系统方案的开发。以自主知识产权体系、自主工艺器件技术和产品技术为核心的构建国内首个专注于高性能第三代功率半导体技术领先的公司。为国内电源、动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案、�/p>

此次量产的两款超高压碳化硅芯片，经专业检测显示性能表现尤为突出，全面覆盖高端电力电子高压应用区间。产品兼具超高耐压与低导通损耗的双重核心优势，成为高压直挂应用场景的理想核心器件。损耗的降低能够实现设备能耗的大幅下降，相较于传统硅基器件，碳化硅器件可实现更高的开关频率，能耗降幅超30%，在高压应用场景中优势更为显著、�/p>

这一突破将改变多个高附加值行业电气架构：在绿色船舶与高铁交通领域，可显著降低牵引系统损耗，减小设备体积和重量，助力交通运输领域绿色变革；在新型配电与算力供电领域，作为高压直挂固态变压器核心元件，可支撑智能电网建设，同时简化算力中心供电架构，打造节能型绿色算力基础设施；在高压柔性直流输电领域，其应用可将传统串联器件数量减�?0%以上，简化系统结构，助力我国电力装备产业摆脱对进口IGBT器件的依赖，实现“换道超车”、�/p>

目前，随着首批10kV碳化硅产品顺利出货，安海半导体正携手下游头部客户，加速推进器件封装、驱动等环节的技术研发与产业化进展，全力推动超高压碳化硅芯片在船舶、高铁、算力中心及智能电网等重点领域的落地应用，持续为产业高质量发展赋能、�/p>

来源：经济参考网、同花顺财经、安海半导体

（中国粉体网编辑整理/初末（�/p>

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